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황화주석 박막 및 그 형성 방법, 박막 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019029104
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 황화주석 박막 및 그 형성 방법, 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 황화주석 박막 형성 방법은 기판 상에 황화주석(SnSx) 박막을 형성하는 단계와 황화주석 박막의 밴드갭(bandgap)이 감소되도록 황화주석 박막을 열처리하는 단계를 갖는다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/0749 (2012.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160051358 (2016.04.27)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1869337-0000 (2018.06.14)
공개번호/일자 10-2017-0122433 (2017.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20180620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수현 대한민국 대구광역시 수성구
2 장병현 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임세준 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 유종우 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) K & Y 빌딩 *층(지아이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0404474-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0050311-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0276329-92
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0576684-97
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0576690-61
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0717855-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1138737-91
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.11.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1138738-36
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0880504-32
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0148755-03
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0148756-48
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0385639-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.12.07 수리 (Accepted) 4-1-2020-5277862-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 비정질(amorphous) 황화주석(SnSx) 박막을 형성하는 단계; 및상기 황화주석 박막을 열처리하여 단일상(single phase)의 일황화주석(SnS) 박막을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 황화주석(SnSx) 박막은 TDMASn(Tetrakis(diemethylamino)tin)과 H2S를 이용하여 140℃ 이하의 온도에서 원자층증착법(ALD, Atomic Layer Deposition)에 의해 형성하며, 상기 열처리는, 상기 황화주석(SnSx) 박막의 밴드갭이 1
2 2
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5 5
제1항에 있어서,상기 열처리는 플라즈마를 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 황화주석 박막 형성 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 플라즈마는 수소 플라즈마인 것을 특징으로 하는 황화주석 박막 형성 방법
7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
제1항에 있어서,상기 황화주석 박막 형성 후, 인-시튜(in-situ)로 상기 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 황화주석 박막 형성 방법
13 13
제1항에 있어서,상기 황화주석 박막을 형성하는 단계와 상기 열처리하는 단계를 순차적으로 반복 수행하여, 상기 황화주석 박막을 원하는 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 황화주석 박막 형성 방법
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16 16
기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면전극 상에 비정질(amorphous) 황화주석(SnSx) 광흡수층을 형성하는 단계;상기 황화주석 광흡수층을 열처리하여 단일상(single phase)의 일황화주석(SnS) 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 일황화주석 광흡수층 상에 투명전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 황화주석(SnSx) 광흡수층은 TDMASn(Tetrakis(diemethylamino)tin)과 H2S를 이용하여 140℃ 이하의 온도에서 원자층증착법(ALD, Atomic Layer Deposition)에 의해 형성하며, 상기 열처리는, 상기 황화주석(SnSx) 광흡수층의 밴드갭이 1
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제16항에 있어서,상기 열처리는 플라즈마를 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
21 21
제20항에 있어서,상기 플라즈마는 수소 플라즈마인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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27 27
제16항에 있어서,상기 황화주석 광흡수층 형성 후, 인-시튜(in-situ)로 상기 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
28 28
제16항에 있어서,상기 황화주석 광흡수층을 형성하는 단계와 상기 열처리하는 단계를 순차적으로 반복 수행하여, 상기 황화주석 광흡수층을 원하는 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 영남대학교 중견연구자지원 이원계 칼코젠화 주석 화합물 광흡수층과 비카드뮴계 버퍼층을 이용한 초저가 무독성 태양전지의 개발