맞춤기술찾기

이전대상기술

박형 실리콘 기판의 제조 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2019029155
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘과 금속의 응력 차이로 유발된 박리 공정을 이용하는 박형 실리콘 기판의 제조 방법 및 장치에 관한 것으로서, 실리콘 모재가 실장되는 서셉터를 구비하되, 상기 실리콘 모재의 상면에 니켈층을 형성하는 도금 공정을 수행할 수 있도록 도금액을 수용하며, 니켈과 실리콘의 응력 차이로 인하여 크랙이 전파되면서 상기 니켈층과 상기 실리콘 모재의 일부인 박형 실리콘이 상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리 분리됨으로써 상기 니켈층과 상기 박형 실리콘의 복합 구조체를 제공할 수 있는 제 1 반응조; 상기 복합 구조체로부터 상기 니켈층을 제거하여 박형 실리콘 기판을 형성하기 위한 니켈 에칭제를 수용한 제 2 반응조; 상기 실리콘 모재 측면의 제 1 부분에 레이저 스크라이빙 공정으로 크랙 전파의 시작 영역인 제 1 그루브(groove)를 형성할 수 있는 제 1 레이저 장치; 및 상기 실리콘 모재 측면의 상기 제 1 부분의 반대편인 제 2 부분에 레이저 스크라이빙 공정으로 제 2 그루브를 형성할 수 있는 제 2 레이저 장치;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/76 (2006.01.01) H01L 21/268 (2006.01.01) H01L 21/762 (2006.01.01) H01L 31/047 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01)
출원번호/일자 1020170022502 (2017.02.20)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1863195-0000 (2018.05.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.20)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정재학 대한민국 대구광역시 수성구
2 노지원 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0175131-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0305062-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
4 등록결정서
Decision to grant
2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0344924-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.12.07 수리 (Accepted) 4-1-2020-5277862-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 반응조 내에 실리콘 모재를 배치하는 제 1 단계;상기 제 1 반응조 내에서 1차 도금 공정에 의하여 상기 실리콘 모재의 상면에 제 1 니켈층을 형성하는 제 2 단계;상기 제 1 니켈층 아래의 상기 실리콘 모재 측면의 제 1 부분에 레이저 스크라이빙 공정으로 제 1 그루브(groove)를 형성하는 제 3 단계;니켈과 실리콘의 응력 차이로 인하여 상기 제 1 그루브를 기점으로 크랙이 전파되면서 상기 제 1 니켈층과 상기 실리콘 모재의 일부인 박형 실리콘이 상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리되는 제 4 단계;상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리된 상기 제 1 니켈층과 상기 박형 실리콘의 복합 구조체를 니켈 에칭제를 수용한 제 2 반응조에 침지하여 상기 제 1 니켈층이 제거된 제 1 박형 실리콘 기판을 형성하는 제 5 단계;상기 제 1 반응조 내에서 2차 도금 공정에 의하여 상기 실리콘 모재의 상면에 제 2 니켈층을 형성하는 제 6 단계;상기 제 2 니켈층 아래의 상기 실리콘 모재 측면의 상기 제 1 부분의 반대편인 제 2 부분에 레이저 스크라이빙 공정으로 제 2 그루브를 형성하는 제 7 단계;니켈과 실리콘의 응력 차이로 인하여 상기 제 2 그루브를 기점으로 크랙이 전파되면서 상기 제 2 니켈층과 상기 실리콘 모재의 일부인 박형 실리콘이 상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리되는 제 8 단계; 및상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리된 상기 제 2 니켈층과 상기 박형 실리콘의 복합 구조체를 니켈 에칭제를 수용한 상기 제 2 반응조에 침지하여 상기 제 2 니켈층이 제거된 제 2 박형 실리콘 기판을 형성하는 제 9 단계;를 포함하는, 박형 실리콘 기판의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 내지 제 9 단계로 구성된 단위사이클이 연속하여 반복되며, 상기 제 5 단계 및 상기 제 9 단계에서 회수한 니켈은 후속의 단위사이클에서 상기 제 2 단계 및 상기 6 단계의 1차 및 2차 도금 공정에 재사용되는, 박형 실리콘 기판의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리된 상기 니켈층과 상기 박형 실리콘의 복합 구조체는 말려진 롤(roll) 형태를 가지는, 박형 실리콘 기판의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 내지 제 4 단계 및 상기 제 6 단계 및 제 8 단계는 상기 제 1 반응조에서 수행되며,상기 제 5 단계 및 상기 제 9 단계는 상기 제 2 반응조에서 수행되는, 박형 실리콘 기판의 제조 방법
5 5
실리콘 모재가 실장되는 서셉터를 구비하되, 상기 실리콘 모재의 상면에 니켈층을 형성하는 도금 공정을 수행할 수 있도록 도금액을 수용하며, 니켈과 실리콘의 응력 차이로 인하여 크랙이 전파되면서 상기 니켈층과 상기 실리콘 모재의 일부인 박형 실리콘이 상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리 분리됨으로써 상기 니켈층과 상기 박형 실리콘의 복합 구조체를 제공할 수 있는 제 1 반응조; 상기 복합 구조체로부터 상기 니켈층을 제거하여 박형 실리콘 기판을 형성하기 위한 니켈 에칭제를 수용한 제 2 반응조;상기 실리콘 모재 측면의 제 1 부분에 레이저 스크라이빙 공정으로 크랙 전파의 시작 영역인 제 1 그루브(groove)를 형성할 수 있는 제 1 레이저 장치; 및상기 실리콘 모재 측면의 상기 제 1 부분의 반대편인 제 2 부분에 레이저 스크라이빙 공정으로 제 2 그루브를 형성할 수 있는 제 2 레이저 장치;를 포함하는, 박형 실리콘 기판의 제조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 영남대학교 산학협력단 지역혁신센터조성(RIC)사업 대경 태양전지 지역혁신센터
2 산업통상자원부 영남대학교 산학협력단 연구개발고급인력지원사업 신재생에너지 전력 및 열 생산/저장 하이브리드시스템 인력양성 고급트랙