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박막 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019029183
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 배면전극을 구비하는 기판 상에 형성된 광흡수층을 포함하는 박막 태양전지의 제조방법으로서, 상기 박막 태양전지는 상기 배면전극 상에 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광흡수층은 셀렌화(selenization) 이후에 냉각하는 단계를 수행함으로써 형성되되, 상기 냉각하는 단계는 상기 기판 및 상기 셀렌화 된 광흡수층의 냉각속도와 냉각압력 중 적어도 어느 하나 이상을 제어하는 단계를 포함하고, 상기 냉각속도와 냉각압력 중 적어도 어느 하나 이상을 제어함에 따라 상기 광흡수층의 표면결함(surface defect)의 형성을 제어하는, 박막 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020170131534 (2017.10.11)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1922065-0000 (2018.11.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전찬욱 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0996420-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0422920-37
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0825125-06
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0825126-41
6 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0765757-91
7 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5004417-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.12.07 수리 (Accepted) 4-1-2020-5277862-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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배면전극을 구비하는 기판 상에 형성된 광흡수층을 포함하는 박막 태양전지의 제조방법으로서,상기 박막 태양전지는 상기 배면전극 상에 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광흡수층은 셀렌화(selenization) 이후에 냉각하는 단계를 수행함으로써 형성되되, 상기 냉각하는 단계는 상기 기판 및 상기 셀렌화 된 광흡수층의 냉각속도와 냉각압력 중 적어도 어느 하나 이상을 제어하는 단계를 포함하고,상기 냉각속도와 냉각압력 중 적어도 어느 하나 이상을 제어함에 따라 상기 광흡수층의 표면결함(surface defect)의 형성을 제어하며,상기 냉각속도와 냉각압력 중 적어도 어느 하나 이상을 제어하는 단계에서,챔버 내부의 온도는 상기 챔버 내부에 구비된 히터의 온도에 의해 조절되며, 상기 챔버 내부의 압력은 상기 챔버 내부의 펌프의 동작에 의해 조절되고,상기 히터는 상기 기판을 가열하는 하부히터 및 셀레늄(Se) 소스 도가니(crucible)를 가열하는 상부히터를 포함하며,상기 하부히터 및 상기 상부히터는 600℃ 내지 700℃의 온도범위에서 상기 셀렌화를 수행하고, 이후에 상기 하부히터 및 상기 상부히터의 온도를 상기 셀렌화 수행 온도보다 낮게 조절함으로써 상기 광흡수층의 표면결함을 제어하고,상기 하부히터 및 상기 상부히터 간 거리는 4㎜ 내지 12㎜의 범위이며,상기 히터의 온도를 조절함과 동시에 상기 챔버 내부의 압력을 조절하되,상기 챔버 내부의 압력은 펌프(pump)에 의해 상기 챔버 내부의 진공도를 조절하는,박막 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 냉각속도를 빠르게 제어하거나 상기 냉각압력을 높게 제어하는 경우보다 상기 냉각속도를 느리게 제어하거나 상기 냉각압력을 낮게 제어하는 경우에 상기 광흡수층의 표면결함의 수가 더 많아지는,박막 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 및 갈륨(Ga)을 포함하는 예비 광흡수층 상에 상기 셀렌화(selenization) 및 황화(sulfurization)를 수행함으로써 형성된,박막 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수층을 형성하는 단계 이후에,상기 광흡수층 상에 버퍼층 및 전면전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는,박막 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 냉각속도를 빠르게 제어하거나 상기 냉각압력을 높게 제어하는 경우보다 상기 냉각속도를 느리게 제어하거나 상기 냉각압력을 낮게 제어하는 경우에 상기 광흡수층은 롤-오버(roll-over) 특성이 상대적으로 더 강해지는 경향이 나타나며,상기 롤-오버(roll-over) 특성은 전류-전압 곡선 중 개방전압보다 높은 전압구간에서 상기 전압의 증가폭과 상기 전류의 증가폭의 비가 점점 감소되는,박막 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 냉각속도를 빠르게 제어하거나 상기 냉각압력을 높게 제어하는 경우보다 상기 냉각속도를 느리게 제어하거나 상기 냉각압력을 낮게 제어하는 경우에 상기 광흡수층의 표면은 패싯(facet) 구조가 더 많이 형성되는, 박막 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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