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연속흡착반응공정을 이용한 태양전지용 페로브스카이트 필름 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019029448
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연속흡착반응공정을 이용한 태양전지용 페로브스카이트 필름 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 먼저 연속흡착반응공정을 이용한 태양전지용 페로브스카이트 필름의 제조방법은 납 전구체가 분산된 전구체용액을 준비하는 단계; 상기 납 전구체를 표면에 흡착시키기 위하여 상기 전구체용액에 준비된 기판을 침지시키는 단계; 표면에 상기 납 전구체가 흡착된 기판을 MAI(Methylammonium Iodide : CH3NH3I3)용액에 침지시켜 상기 기판에 페로브스카이트 구조를 갖는 박막을 형성하는 단계; 상기 박막을 건조 및 열처리하는 단계; 및 건조 및 열처리 된 상기 박막을 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 일실시 예에 따른 태양전지용 페로브스카이트 필름은 전극층; 상기 전극층의 상부에 적층되는 광흡수층; 상기 광흡수층의 상부에 형성되는 ZnO박막층; 및 상기 ZnO박막층의 상부에 적층되는 페로브스카이트 박막층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170069139 (2017.06.02)
출원인 조선대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1857024-0000 (2018.05.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.02)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재관 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교 산학협력단 광주광역시 동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0531013-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0170755-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0829051-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0045356-51
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0045346-05
8 등록결정서
Decision to grant
2018.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0281737-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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납 전구체가 분산된 전구체용액을 준비하는 단계;상기 납 전구체를 표면에 흡착시키기 위하여 상기 전구체용액에 준비된 기판을 침지시키는 단계;표면에 상기 납 전구체가 흡착된 기판을 MAI(Methylammonium Iodide : CH3NH3I3)용액에 침지시켜 상기 기판에 페로브스카이트 구조를 갖는 박막을 형성하는 단계;상기 박막을 건조 및 열처리하는 단계; 및건조 및 열처리 된 상기 박막을 어닐링하는 단계를 포함하되,상기 납 전구체는 납 나이트레이트(Pb(NO3)2) 이며, 상기 전구체용액은 상기 납 전구체가 물과 에탄올의 혼합액에 분산되고,상기 기판은 전극층인 FTO 기판상에 광흡수층인 c-TiO2와 상부에 ZnO 박막층이 형성된 m-TiO2가 순차적으로 적층되며,상기 납 전구체를 표면에 흡착시키기 위하여 상기 전구체용액에 준비된 기판을 침지시키는 단계 및 표면에 상기 납 전구체가 흡착된 기판을 MAI(Methylammonium Iodide : CH3NH3I3)용액에 침지시키는 단계는 순차적으로 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 연속흡착반응공정을 이용한 태양전지용 페로브스카이트 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 구조를 갖는 박막은 CH3NH3PbI3 박막인 것을 특징으로 하는 연속흡착반응공정을 이용한 태양전지용 페로브스카이트 필름의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 건조 및 열처리 된 상기 박막을 어닐링하는 단계는 상온에서 10분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 연속흡착반응공정을 이용한 태양전지용 페로브스카이트 필름의 제조방법
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제 1 항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하되,FTO 기판으로 이루어진 전극층;상기 전극층의 상부에 적층되며 c-TiO2와 m-TiO2가 순차적으로 적층된 광흡수층;상기 광흡수층의 상부에 형성되는 ZnO박막층; 및상기 ZnO박막층의 상부에 적층되는 페로브스카이트 박막층을 포함하되,상기 페로브스카이트 박막층은 CH3NH3PbI3 박막인 것을 특징으로 하는 태양전지용 페로브스카이트 필름
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 조선대학교 기본연구지원사 페로브스카이트/유기반도체고분자/플러렌 유도체의 벌크 삼중접합 하이브리드 태양전지 개발