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기판 위에 형성된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층상의 일측에 형성된 활성층;상기 n형 반도체층상의 타측에, 상기 활성층과 이격된 거리에 위치하도록 형성된 n형 전극;상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층;상기 p형 반도체층상의 일측에 형성된 p형 전극;상기 p형 반도체층상에, 상기 p형 전극의 측면에 접하도록 형성된 투명전극층; 및상기 투명전극층과 접촉되며, 상기 활성층과 소정의 거리 이내에 위치하도록 형성된 나노입자층을 포함하며,상기 투명전극층은, 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance)이 발생되는 금속의 나노와이어들로 형성되고, 일면이 상기 p형 반도체층에 접촉되는 동시에, 타면이 상기 p형 전극의 일면과 접하도록 형성되며,상기 나노입자층은, 표면 플라즈몬 공명이 발생되는 금속의 나노입자들로 형성된,질화물계 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 투명전극층은, 은, 알루미늄, 구리, 금, 크롬, 플래티넘, 니켈 및 이들의 합금 중 어느 하나의 금속의 나노와이어들을 포함하고,상기 나노입자층은, 은, 알루미늄, 구리, 금, 크롬, 플래티넘, 니켈 및 이들의 합금 중 어느 하나의 금속의 나노입자들을 포함하는,질화물계 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노입자층은,상기 투명전극층상에 형성된,질화물계 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노입자층은,상기 p형 반도체층상에, 상기 투명전극층과 일면이 접하도록 형성되고,상기 투명전극층 및 나노입자층 모두 상기 p형 전극의 측면에 접하도록 형성된,질화물계 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노입자층은,상기 p형 반도체층상에, 상기 투명전극층과 일면이 접하도록 형성되고,상기 투명전극층만 상기 p형 전극의 측면에 접하도록 형성된,질화물계 발광 다이오드
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6
제1항에 있어서,상기 나노입자층은,상기 p형 반도체층상에, 상기 투명전극층의 복수의 면과 접하도록 형성된,질화물계 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노입자층은,상기 투명전극층의 내부에 포함되어, 상기 나노입자층의 모든 면이 상기 투명전극층과 접하도록 형성된,질화물계 발광 다이오드
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8
제1항에 있어서,상기 투명전극층 및 나노입자층 중 적어도 하나는,상기 활성층으로부터 20nm 이상 50nm 이하의 거리에 위치하도록 형성된,질화물계 발광 다이오드
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삭제
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제1항에 있어서,상기 투명전극층 표면에 형성된 부동화 피막층을 더 포함하는,질화물계 발광 다이오드
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제10항에 있어서,상기 부동화 피막층은, 절연 물질로 이루어진,질화물계 발광 다이오드
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