기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법

기술번호 : KST2019029468
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 치과 임플란트의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 티타늄계 합금에 양극 산화처리하여 나노튜브 어레이 층을 형성시킨 다음, 플라즈마 전해 산화처리함으로써, 표면 거칠기를 증대시키고, 기능성 원소 물질의 형성을 극대화하며, 아나타제상의 형성을 증대시킬 수 있어, 생체적합성을 향상시킬 수 있는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL	A61C 13/00 (2017.01.01) A61C 8/00 (2006.01.01) A61K 6/04 (2006.01.01) A61C 13/02 (2006.01.01)
CPC	A61C 13/0012(2013.01) A61C 13/0012(2013.01) A61C 13/0012(2013.01) A61C 13/0012(2013.01) A61C 13/0012(2013.01) A61C 13/0012(2013.01) A61C 13/0012(2013.01)
출원번호/일자	1020170159286 (2017.11.27)
출원인	조선대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1906258-0000 (2018.10.02)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20181010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.11.27)
심사청구항수	17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	조선대학교산학협력단	대한민국	광주광역시 동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	최한철		광주광역시 동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	특허법인아이엠	대한민국	서울특별시 강남구 봉은사로 *, *호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	조선대학교산학협력단		광주광역시 동구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2017.11.27	수리 (Accepted)	1-1-2017-1178115-39
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2017-5199091-10
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2018.05.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2018.08.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2018-0108912-63
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2018.09.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0607841-67
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.09.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0905910-85
7	등록결정서 Decision to grant	2018.09.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0634949-11
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.03.26	수리 (Accepted)	4-1-2020-5071333-01
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2020-5088703-88

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 티타늄계 합금을 준비하는 티타늄계 합금 준비단계;준비된 상기 티타늄계 합금을 티타늄 양극산화처리하여 제1 나노튜브 어레이층을 형성시키는 제1 나노튜브 어레이층 형성단계;상기 티타늄계 합금의 표면에 형성된 상기 제1 나노튜브 어레이층을 제거하는 제1 나노튜브 어레이층 제거단계; 및상기 제1 나노튜브 어레이층이 제거되어, 단면이 메쉬 형상인 티타늄계 합금을 플라즈마 전해 산화 처리하는 플라즈마 전해 산화 처리단계;를 포함하고, 상기 티타늄계 합금은 Ti-6Al-4V가 이용되며, 상기 플라즈마 전해 산화 처리단계는 마그네슘 이온 및 아연 이온을 포함하는 플라즈마 전해산화용 전해질을 이용하여 플라즈마 전화 산화처리되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
2	2 삭제
3	3 제 1항에 있어서,상기 제1 나노튜브 어레이층 형성단계는상기 티타늄계합금은 캐소드 전극에 연결되고, 플라티늄 전극은 에노드 전극에 연결되며, H3PO4 및 NaF를 포함하는 양극산화용 전해질을 이용하여 전기화학적 산화처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
4	4 제 3항에 있어서,상기 양극산화용 전해질은 1M H3PO4 및 0
5	5 제 1항에 있어서,상기 제1 나노튜브 어레이층은 초음파처리를 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
6	6 삭제
7	7 제 1항에 있어서,상기 플라즈마 전해산화용 전해질은 마그네슘 이온 5 몰(mol)% 및 아연 이온 5 몰(mol)%를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
8	8 제 1항에 있어서,상기 플라즈마 전해 산화 처리단계 이후에, 산화피막층에 형성된 침전물을 제거하는 침전물 제거단계;가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
9	9 제 8항에 있어서,상기 침전물 제거단계는초음파처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
10	10 제 1항, 제3항 내지 제5항, 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법으로 제조되고, 임플란트의 표면에는 마그네슘 및 아연을 포함하는 산화피막이 형성되며, 상기 산화피막은 아나타제상 및 루타일상을 포함하는 것을 특징으로 하는 치과용 임플란트
11	11 삭제
12	12 티타늄계 합금을 준비하는 티타늄계 합금 준비단계;준비된 상기 티타늄계 합금을 티타늄 양극산화처리하여 제1 나노튜브 어레이층을 형성시키는 제1 나노튜브 어레이층 형성단계;상기 티타늄계 합금의 표면에 형성된 상기 제1 나노튜브 어레이층을 제거하는 제1 나노튜브 어레이층 제거단계; 상기 제1 나노튜브 어레이층이 제거되어, 단면이 메쉬 형상인 티타늄계 합금을 티타늄 양극산화처리하여 제2 나노튜브 어레이층을 형성시키는 제2 나노튜브 어레이층 형성단계;상기 티타늄계 합금의 표면에 형성된 상기 제2 나노튜브 어레이층을 제거하는 제2 나노튜브 어레이층 제거단계; 상기 제2 나노튜브 어레이층이 제거되어, 단면이 메쉬 형상인 티타늄계 합금을 플라즈마 전해 산화 처리하는 플라즈마 전해 산화 처리단계;를 포함하고,상기 티타늄계 합금은 Ti-6Al-4V가 이용되며, 상기 플라즈마 전해 산화 처리단계는 마그네슘 이온 및 아연 이온을 포함하는 플라즈마 전해산화용 전해질을 이용하여 플라즈마 전화 산화처리되는 것을 특징으로 하는 양극산화법와 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
13	13 제 12항에 있어서,상기 제2 나노튜브 어레이층 형성단계 및 상기 제2 나노튜브 어레이층 제거단계가 순차적으로 더 수행 되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
14	14 삭제
15	15 제 12항에 있어서,상기 제1 나노튜브 어레이층 형성단계 및 상기 제2 나노튜브 어레이층 형상단계는,상기 티타늄계합금은 캐소드 전극에 연결되고, 플라티늄 전극은 에노드 전극에 연결되며, H3PO4 및 NaF를 포함하는 양극산화용 전해질을 이용하여 전기화학적 산화처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
16	16 제 15항에 있어서,상기 양극산화용 전해질은 1M H3PO4 및 0
17	17 제 12항에 있어서,상기 제1 나노튜브 어레이층 및 상기 제2 나노튜브 어레이층은 초음파처리를 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 양극산화법와 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
18	18 삭제
19	19 제 12항에 있어서,상기 플라즈마 전해산화용 전해질은 마그네슘 이온 5 몰(mol)% 및 아연 이온 5 몰(mol)%를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
20	20 제 12항에 있어서,상기 플라즈마 전해 산화 처리단계 이후에, 산화피막층에 형성된 침전물을 제거하는 침전물 제거단계;가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
21	21 제 20항에 있어서,상기 침전물 제거단계는초음파처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법
22	22 제 12항, 제 13항, 제 15항 내지 제 17항, 제 19항 내지 제 21항 중 어느 한 항의 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법으로 제조되고, 임플란트의 표면에는 마그네슘 및 아연을 포함하는 산화피막이 형성되며, 상기 산화피막은 아나타제상 및 루타일상을 포함하는 것을 특징으로 하는 치과용 임플란트
23	23 삭제

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	과학기술정보통신부	㈜ 케이제이메디텍	2015 기술개발이전사업화사업	전기화학법으로 이중기능표면이 구현된 신개념 치과임플란트 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1906258-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20171127 출원 번호 : 1020170159286 공고 연월일 : 20181010 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20180917 청구범위의 항수 : 17 유별 : A61C 13/00 발명의 명칭 : 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 조선대학교산학협력단 광주광역시 동구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	354,000 원	2018년 10월 02일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2017.11.27	수리 (Accepted)	1-1-2017-1178115-39
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2017-5199091-10
3	선행기술조사의뢰서	2018.05.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2018.08.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2018-0108912-63
5	의견제출통지서	2018.09.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0607841-67
6	[명세서등 보정]보정서	2018.09.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0905910-85
7	등록결정서	2018.09.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0634949-11
8	출원인정보변경(경정)신고서	2020.03.26	수리 (Accepted)	4-1-2020-5071333-01
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2020-5088703-88


과제고유번호	1711062188
세부과제번호	17GJI006
연구과제명	전기화학법으로 이중기능표면이 구현된 신개념 치과임플란트 개발
성과구분	출원
부처명	과학기술정보통신부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2017
연구기간	201704~201712
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	BT(생명공학기술)

특허성과

[1020170159286]	양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015191925][조선대학교]	치과용 다이 소우잉 테이블	새창보기
[KST2015192022][조선대학교]	임플란트용 어태치먼트	새창보기
[KST2015191446][조선대학교]	임플란트	새창보기
[KST2014012816][조선대학교]	사이클릭 인장력을 인가하는 치과용 교정장치	새창보기
[KST2014040925][조선대학교]	멀티 임플란트	새창보기
[KST2015191826][조선대학교]	Ni-Cr-Ti 합금 소결체를 이용한 치과용 메탈 코핑 제조방법	새창보기
[KST2015191921][조선대학교]	임플랜트와 이를 이용한 치열 교정용 고정장치	새창보기
[KST2015191423][조선대학교]	임플란트 식립유도구	새창보기
[KST2014012819][조선대학교]	치아교정장치의 은 이온 코팅막 형성방법과 이를 적용한	새창보기
[KST2014012822][조선대학교]	픽스츄어 절삭공구	새창보기
[KST2015191728][조선대학교]	임플란트 식립용 거리측정기	새창보기
[KST2015191437][조선대학교]	임플랜트와 이를 이용한 치열 교정용 고정장치	새창보기
[KST2016005155][조선대학교]	3Ｄ 조영기술을 이용한 환자 맞춤형 임플란트 모형제작방법(Fabrication method of patient customized Implant using 3D imaging technology)	새창보기
[KST2015004071][조선대학교]	교정용 고정장치	새창보기
[KST2014050465][조선대학교]	치아회분말을 이용한 치과용 임플란트의 스퍼터링 타겟제조방법과 이를 이용한 치과용 임플란트의 표면개질방법	새창보기
[KST2014050484][조선대학교]	임플란트 시술 보조 시스템	새창보기
[KST2015191604][조선대학교]	치조골 제거기능이 구비된 본 론저	새창보기
[KST2015191429][조선대학교]	임플랜트	새창보기
[KST2014041674][조선대학교]	치과용 임플란트의 표면개질 후 생체활성화를 위한 하이드록시아파타이트 코팅법	새창보기
[KST2016010913][조선대학교]	치과 의료용 바이오셀룰로오스 차단막 및 그 제조 방법(BARRIER MEMBRANE BASED ON BIOCELLUIOSE AND MANUFATURING METHOD THEREOF)	새창보기
[KST2017014121][조선대학교]	저자화율을 갖는 지르코늄-실리콘 이원계 합금 조성물 및 그 제조방법(Zr-Si binary alloy compositions having low magnetic susceptibility and method of fabricating the same)	새창보기
[KST2014012814][조선대학교]	임플란트 식립위치 유도기	새창보기
[KST2015191730][조선대학교]	골 배분기	새창보기
[KST2014012812][조선대학교]	골 채취용구	새창보기
[KST2014012823][조선대학교]	임플란트	새창보기
[KST2015191691][조선대학교]	골 채취기	새창보기
[KST2014012817][조선대학교]	테이퍼 핀으로 체결되는 임플란트 구조	새창보기
[KST2016014733][조선대학교]	저자화율을 갖는 지르코늄-구리 이원계 합금 조성물 및 그 제조방법(Zr-Cu binary alloy compositions having low magnetic susceptibility and method of fabricating the same)	새창보기
[KST2015191729][조선대학교]	임플란트 식립용 거리측정기	새창보기
[KST2015192083][조선대학교]	임플란트 시술용 본 포셉	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.