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CIS계 광흡수층을 구비한 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지로서,빛이 입사하는 방향에 위치되는 상부셀의 광흡수층이 1
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청구항 1에 있어서,상기 하부셀의 광흡수층이 Ga/(In+Ga)의 비율로 밴드갭이 조절된 CIGS 재질인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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청구항 1에 있어서,상기 하부셀의 광흡수층이 CIS 재질인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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청구항 1에 있어서,하부셀의 광흡수층이 0
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상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지로서,빛이 입사하는 방향에 위치되는 상부셀의 광흡수층이 1
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9
CIS계 광흡수층을 구비한 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법으로서,후면전극이 형성된 기판의 표면에 하부셀과 상부셀을 순차적으로 적층하여 제조되며,상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0
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청구항 9에 있어서,상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 CIGS 재질의 박막을 형성하되 Ga/(In+Ga)의 비율을 조절하여 밴드갭을 조절하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
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14
청구항 9에 있어서,상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 CIS 재질의 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
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15
청구항 9에 있어서,상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0
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16
상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법으로서,후면전극이 형성된 기판의 표면에 하부셀과 상부셀을 순차적으로 적층하여 제조되며,상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0
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청구항 16에 있어서,상기 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계와 상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계가 동일한 장비에서 수행되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
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