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광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 태양전지

  • 기술번호 : KST2019029506
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 태양전지를 개시한다.본 발명에 따르는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 태양전지는 전도성 투명기판을 준비하는 S1단계와, 상기 전도성 투명기판에 단락전류의 생성을 방지하는 방지층을 형성하는 S2단계와, 상기 방지층에 전자 또는 정공을 호스팅하는 다공층을 성형하는 S3단계와, 상기 다공층이 건조된 후에 그로 광감응 반응을 수행하는 페로브스카이트 물질인 광감응층을 도포하여 형성하는 S4단계 및 상기 광감응층에 탄소재의 상대전극을 형성하는 S5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 이에 의할 때, 대면적 태양전지의 양산에 적합한 공정기술을 확립하는 동시에, 박막 구조에서도 높은 광전변환 특성을 나타내고, 제조 단가를 낮추고, 제조 공정 시간을 단축시키며, 제조 공정성이나 태양전지의 구조적 안정화를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160006015 (2016.01.18)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1727943-0000 (2017.04.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.18)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성준 대한민국 대전광역시 유성구
2 한치환 대한민국 대전광역시 중구
3 한아름 대한민국 대전광역시 서구
4 고관우 대한민국 대전광역시 중구
5 한지수 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 정안 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 *** ***층(논현동,썬라이더빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0054151-30
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0017262-81
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0174034-88
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0042810-48
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0768018-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1275652-09
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1275651-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
10 등록결정서
Decision to grant
2017.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0233646-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 투명기판을 준비하는 S1단계;상기 전도성 투명기판에 단락전류의 생성을 방지하는 방지층을 형성하는 S2단계;상기 방지층에 전자 또는 정공을 호스팅하는 다공층을 성형하는 S3단계;상기 다공층이 건조된 후에 그로 광감응 반응을 수행하는 페로브스카이트 물질인 광감응층을 도포하여 형성하는 S4단계; 및상기 광감응층에 탄소재의 상대전극을 형성하는 S5단계;를 포함하며,상기 탄소재는 카본블랙 및 평균 입자크기가 4
2 2
제 1 항에 있어서,상기 S2단계에서 방지층은 타이타니움전구체용액이 도포되어 소결된 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 소결은 350 내지 650℃ 온도 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 S4단계에서 상기 광감응층 용액은 PbI2를 용해시킨 용액과 메틸암모늄아이오다이드(CH3NH3I)가 용해된 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 PbI2를 용해시킨 용액에 먼저 도포하고 건조후에 상기 메틸암모늄아이오다이드(CH3NH3I)가 용해된 용액을 도포하고 열처리하는 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 PbI2를 DMF에 용해시킨 용액에는 PbCl2를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 S4단계에서 광감응층은 대류열을 통하여 건조되는 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 S5단계에서 상대전극은 페이스트로 인쇄되어 건조되는 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명기판은 투명기판에 전도성 물질이 적층된 것으로, 상기 전도성 물질은 ITO, FTO, ZnO-(Ga2O3 또는 Al2O3) 또는 SnO2-Sb2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 S4단계의 페로브스카이트 물질은 아래 화학식 1로 표시되는 구조의 물질인 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
14 14
제1항 내지 제8항, 제12항 및 제13항 중 어느 한 항의 제조방법에 의하여 제조된 태양전지로서,전도성 투명기판;상기 전도성 투명기판에 단락전류의 생성을 방지하도록 도포된 방지층;상기 방지층에 전자 또는 정공을 호스팅하도록 형성된 다공층;상기 다공층에 광감응 반응을 수행하는 페로브스카이트 물질로 코팅된 광감응층; 및상기 광감응층에 탄소재의 상대전극;을 포함하며,상기 탄소재는 카본블랙 및 평균 입자크기가 4
15 15
제 14 항에 있어서,상기 방지층은 20 내지 200㎚ 두께인 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지
16 16
제 14 항에 있어서,상기 다공층은 Ti산화물, Zn산화물, In산화물, Sn산화물, W산화물, Nb산화물, Mo산화물, Mg산화물, Zr산화물, Sr산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물, In산화물 및 SrTi산화물에서 하나 또는 둘 이상 선택된 물질이나, 이들의 혼합물 또는 이들의 복합체 산화물인 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지
17 17
제 14 항에 있어서,상기 다공층은 350 내지 400㎚ 두께인 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지
18 18
제 14 항에 있어서,상기 페로브스카이트 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 구조의 물질인 것을 특징으로 하는 광전효율이 우수한 페로브스카이트 태양전지
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구,기본사업) 고효율저가페로프스카이트태양전지개발