| 1 |
1
투명전도성 기판;상기 투명전도성 기판 위에 형성되고, 밴드갭이 1
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 중간층은 Ag 및 Ga를 포함하는 박막층을 형성한 뒤, 상기 박막층을 황화 처리하여 형성된 것임을 특징으로 하는 반투명 CIGS 태양전지
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 투명전도성 기판은 ITO, FTO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al, Ga-ZnO), IGZO(In, Ga-ZnO), AZTO(Al, Zn-SnO)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 투명 전도성 물질이 일면에 코팅된 유리인 것을 특징으로 하는 반투명 CIGS 태양전지
|
| 7 |
7
청구항 1 에 따른 반투명 CIGS 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,투명전도성 기판을 준비하는 제1단계; 상기 투명전도성 기판 위에 두께 40 내지 100nm의 중간층을 형성하는 제2단계; 상기 중간층 위에 밴드갭이 1
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 제2단계에서 중간층은,i) 열증발법, 진공증발법, 스퍼터링법, 전기증착법, 나노입자증착법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 투명전도성 기판 위에 Ag 또는 Cu 중에서 선택된 1종과 Ga를 포함하는 박막층을 형성하는 단계; ii) 상기 박막층을 황화수소를 포함하는 기체분위기 하에서 열처리하는 방법 또는 진공증발법으로 황화 처리하는 단계; 를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반투명 CIGS 태양전지의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 7에 있어서, 상기 제1단계에서 투명전도성 기판은, ITO, FTO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al, Ga-ZnO), IGZO(In, Ga-ZnO), AZTO(Al, Zn-SnO)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 투명 전도성 물질이 일면에 코팅된 유리인 것을 특징으로 하는 반투명 CIGS 태양전지의 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 7에 있어서,상기 제3단계에서 광흡수층은, CIGS 화합물 내의 Ga/(In+Ga) 원소 비율을 조절하여 1
|
| 11 |
11
청구항 1에 따른 반투명 CIGS 태양전지를 구비하는 건물일체형 태양광 발전(BIPV) 모듈
|
