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전자 전도성 물질 또는 이온-전자 혼합전도성 물질이 각각 이온전도성 물질과 15:85 내지 3:7의 부피비로 혼합된 이온-전자 복합 멤브레인층; 및상기 이온-전자 복합 멤브레인층 양면에 대칭 또는 비대칭 형태로 두께 20 내지 100㎛로 코팅되는 다공성 전도성 활성층을 포함하며,상기 전도성 활성층은 적어도 하나 이상의 이온-전자 혼합전도성 물질을 포함하고,상기 전자전도성 물질 또는 이온-전자 혼합전도성 물질의 입자 크기는 0
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제 1 항에 있어서,상기 이온-전자 복합 멤브레인층은,이온전도도 0
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제 1 항에 있어서, 상기 전자전도성 물질은 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite, LSM), 란타늄 스트론튬 크로마이트(Lanthanum strontium Chromite, LSCr), 망간 페라이트(MnFe2O4), 및 니켈 페라이트(NiFe2O4)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 고투과성 복합체 산소 분리막
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제 1 항에 있어서, 상기 이온전도성 물질은 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리니아 주입 세리아(gadolinia doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아(Smaria doped-Ceria, SDC), 스트론튬과 마그네슘 주입 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates, LSGM), 및 비스무스 산화물(Bismuth oxide, Bi2O3) 및 페롭스카이트계 물질인 스트론튬, 마그네슘 주입 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates, LSGM)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 고투과성 복합체 산소 분리막
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제 1 항에 있어서,상기 이온-전자 혼합전도성 물질은 스트론튬 타이타늄 페라이트(Strontium titanium ferrite, STF), 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite, LSF), 란타늄 스트론튬 코발타이트(Lanthanum strontium cobaltite, LSC), 스트론튬 코발트 페라이트(Strontium cobalt ferrite, SFC), 바륨 스트론튬 코발트 페라이트(barium strontium cobalt ferrite, BSCF), 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite, LSCF), 및 란타늄 니켈옥사이드(lanthanum nickelate, LNO)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인,고투과성 복합체 산소 분리막
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전자전도성 물질 또는 이온-전자 혼합전도성 물질을 각각 이온전도성 물질과 15:85 내지 3:7의 부피비로 혼합하고 분산제를 첨가하는 이온-전자 혼합물의 제조 단계;상기 혼합물을 테이프 캐스팅(Tape casting) 공정을 이용하여 이온-전자 복합 멤브레인층을 제조하는 단계;상기 제조된 이온-전자 복합 멤브레인층을 1200℃ 내지 1350℃에서 소결하여 치밀화하는 단계; 상기 이온-전자 복합 멤브레인층의 양면에 다공성 전도성 활성층을 20 내지 100㎛의 두께로 코팅하는 단계; 및상기 코팅 후 900℃ 내지 1100℃에서 열처리하는 단계를 포함하고,상기 전자전도성 물질 또는 이온-전자 혼합전도성 물질의 입자 크기는 0
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전자전도성 물질 또는 이온-전자 혼합전도성 물질을 각각 이온전도성 물질과 15:85 내지 3:7의 부피비로 혼합하고 분산제를 첨가하는 이온-전자 혼합물의 제조 단계;상기 혼합물을 테이프 캐스팅(Tape casting) 공정을 이용하여 이온-전자 복합 멤브레인층을 제조하는 단계;상기 이온-전자 복합 멤브레인층의 양면에 다공성 전도성 활성층을 20 내지 100㎛의 두께로 코팅하는 단계; 및상기 코팅 후 1200℃ 내지 1350℃에서 멤브레인층과 전도성 활성층을 동시 소결하여 치밀화하는 단계를 포함하고,상기 전자전도성 물질 또는 이온-전자 혼합전도성 물질의 입자 크기는 0
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 이온-전자 복합 멤브레인층은,이온전도도 0
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 전자전도성 물질은 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite, LSM), 란타늄 스트론튬 크로마이트(Lanthanum strontium Chromite, LSCr), 망간 페라이트(MnFe2O4), 및 니켈 페라이트(NiFe2O4)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 고투과성 복합체 산소 분리막 제조방법
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 이온전도성 물질은 이트리아 안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia, YSZ), 스칸디아 안정화 지르코니아(scandia-stabilized zirconia, ScSZ), 가돌리니아 주입 세리아(gadolinia doped-ceria, GDC), 사마리움 주입 세리아(Smaria doped-Ceria), 스트론튬과 마그네슘 주입 란타늄 갈레이트(Lanthanum gallates, LSGM), 및 비스무스 산화물(Bismuth oxide, Bi2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 고투과성 복합체 산소 분리막 제조방법
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제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 이온-전자 혼합전도성 물질은 스트론튬 타이타늄 페라이트(Strontium titanium ferrite, STF), 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite, LSF), 란타늄 스트론튬 코발타이트(Lanthanum strontium cobaltite, LSC), 스트론튬 코발트 페라이트(Strontium cobalt ferrite, SFC), 바륨 스트론튬 코발트 페라이트(barium strontium cobalt ferrite, BSCF), 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite, LSCF), 및 란타늄 니켈옥사이드(lanthanum nickelate, LNO)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인,고투과성 복합체 산소 분리막 제조방법
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