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전력인가 전극과 접지 전극 사이에 그리드 전극을 배치한 상태에서 상기 전력인가 전극에 반도체 기판을 부착하는 단계; 및상기 전력인가 전극에 전압을 가하여 플라즈마를 발생시키고 상기 플라즈마에서 발생한 이온의 충돌 에너지를 상기 그리드 전극이 조절하면서 상기 반도체 기판의 표면 조직화를 수행하는 단계;를 포함하며,상기 반도체 기판의 표면 조직화를 수행하는 단계는,상기 그리드 전극 및 전력 인가 전극에 인가되는 전압을 감지하여 감지된 전압에 의해 미리 설정되는 공정 파라미터를 근거로 인가되는 전압의 변화에 따라 플라즈마 포텐셜이 변화하도록 인가하는 전압의 크기를 시간에 따라 변화시켜 공정 파라미터를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면 조직화를 수행하는 단계는,상기 그리드 전극에 전압을 인가하여 상기 플라즈마에서 발생한 이온과 상기 그리드 전극 간에 척력이 작용하게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면 조직화를 수행하는 단계는,상기 그리드 전극과 상기 반도체 기판, 상기 그리드 전극과 접지 전극 사이의 거리 중 선택된 1종 이상을 조절하여 공정 파라미터를 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화 방법
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 기판의 표면 조직화를 수행하는 단계는,상기 그리드 전극의 위치를 변경하여 공정 파라미터를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화 방법
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[청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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플라즈마 챔버 내에 구비되며 반도체 기판이 부착되는 전력인가 전극;상기 전력인가 전극과 소정의 전극 거리를 가지도록 상기 전력인가 전극의 하부에 상기 전력인가 전극과 이격되게 배치되는 접지 전극; 및상기 전력인가 전극과 상기 접지 전극 사이에 배치되며 플라즈마에 의해 발생한 이온이 충돌하여 이온 충돌 에너지가 조절되는 그리드 전극을 포함하며,상기 그리드 전극 및 전력인가 전극에 인가되는 전압을 감지하는 감지부;공정 파라미터가 저장되는 설정부; 및상기 감지부의 신호 및 상기 설정부에 저장된 공정 파라미터를 근거로 상기 그리드 전극 및 전력인가 전극에 인가되는 전압의 크기를 시간에 따라 변화시켜 상기 공정 파라미터를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화를 위한 장치
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청구항 7에 있어서, 상기 그리드 전극은 메쉬 소재로 된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화를 위한 장치
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청구항 7에 있어서, 상기 그리드 전극에 전압 인가를 위한 전원부가 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화를 위한 장치
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청구항 7에 있어서, 상기 그리드 전극과 상기 반도체 기판, 상기 그리드 전극과 상기 접지 전극 사이의 거리를 조절하기 위해 상기 그리드 전극의 위치를 변경하기 위한 위치이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화를 위한 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 위치이동수단은랙 기어와, 상기 랙 기어와 맞물리며 상기 그리드 전극과 연결된 피니언 기어와, 상기 피니언 기어를 회전시켜 상기 피니언 기어가 상기 랙 기어를 따라 이동되게 하는 구동모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면 조직화를 위한 장치
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13
[청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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