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패시베이션층을 포함한 칼코게나이드계 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019029555
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 패시베이션층을 포함한 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면전극 위에 형성된 패시베이션층; 상기 패시베이션층 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층 및 투명전도층; 및 상기 버퍼층 및 투명전도층 위에 형성된 전면전극을 포함하며, 상기 패시베이션층은 상기 후면전극과 상기 광흡수층 사이의 계면에서 부분적으로 형성된 것을 특징으로 한다.본 발명은, 후면전극과 광흡수층 사이의 계면에서 패시베이션층이 부분적으로 형성됨으로써, 전자 및 정공 쌍 재결합을 억제시켜 표면 재결합 속도를 감소시키고, 전하 캐리어 수명(charge carrier lifetime)을 증가시켜 광 변환 효율을 증가시키며, 개방 전압을 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01)
출원번호/일자 1020160141248 (2016.10.27)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1825032-0000 (2018.01.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
2 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시 서구
4 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
5 곽지혜 대한민국 대전광역시 유성구
6 유진수 대한민국 대전광역시 중구
7 안승규 대한민국 대전광역시 서구
8 박주형 대한민국 대전광역시 유성구
9 조아라 대한민국 대전광역시 유성구
10 김기환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1048925-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011768-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0565969-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1005107-62
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1005058-12
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0045330-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면전극 위에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 패시베이션층 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 위에 버퍼층 및 투명전도층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 및 투명전도층 위에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 패시베이션층을 형성하는 단계는, TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 및 폴리스티렌 비드가 혼합된 용액을 상기 후면전극 위에 코팅하는 단계; 및 상기 TEOS가 산화성 열분해를 통해 SiO2층으로 형성되고, 상기 폴리스티렌 비드가 산화되어 가스상인 CO2와 H2O로 제거되도록 열처리하여 복수의 개구부를 포함하는 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되어, 상기 폴리스티렌 비드가 제거된 위치에 상기 후면전극의 표면 일부분이 노출되도록 패시베이션층을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 광흡수층을 형성하는 단계에서,상기 광흡수층은 CuInS2(CIS), CuGaS2(CGS), CuInSe2(CISe), CuGaSe2(CGSe), CuAlSe2(CASe), CuInTe2(CITe), CuGaTe2(CGTe), Cu(In,Ga)S2(CIGS), Cu(In, Ga)Se2(CIGSe), Cu2ZnSnS4(CZTS) 중에서 선택된 하나의 재질로 광흡수층을 형성하는 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 저가원소기반의 Cu계화합물 박막태양전지 고효율화 기술개발
2 산업통상자원부 (주)광명전기 KETEP 신재생에너지기술개발사업 플렉시블 CIGS 박막 태양전지를 활용한 생활밀착형 전원 개발
3 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 산업기술혁신사업 모듈 단가 0.3$/W 달성을 위한 저독성 범용소재 기반 차세대 박막 태양전지 개발
4 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 에너지국제공동연구사업 고전압 (Voc 〉 800 mV) 모듈용 CIGS계 박막 태양전지 원천 기술 개발