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CIGS계 태양전지 셀의 제조방법 및 CIGS계 태양전지 셀

  • 기술번호 : KST2019029568
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명한 후면전극을 구비한 CIGS계 태양전지 셀의 제조방법에 관한 것으로, 투명한 산화물 재질의 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 위에 금속재질의 후면전극패턴을 형성하는 단계; 상기 후면전극패턴이 형성된 후면전극층 위에 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 위에 투명 재질의 전면전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 상기 후면전극패턴은 금속재질의 패턴 사이에 빛이 투과하는 투과부가 형성되는 것을 특징으로 한다.본 발명은, TCO 재질의 후면전극층 표면에 광투과부가 형성된 금속재질의 후면전극패턴을 형성함으로써, 후면전극층과 광흡수층 사이에 Ga2O3가 형성되는 양을 줄일 수 있고, Ga2O3가 형성되는 경우에도 후면전극패턴을 통해 전류가 흐르기 때문에 후면전극층과 광흡수층 사이의 계면 저항이 증가하는 것을 방지하여 TCO 재질의 후면전극을 사용하고도 태양전지 셀의 광전변환 효율이 뛰어난 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/042 (2014.01.01) H01L 31/0687 (2012.01.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020160153512 (2016.11.17)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1778723-0000 (2017.09.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.17)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기환 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤재호 대한민국 대전광역시 서구
3 곽지혜 대한민국 대전광역시 유성구
4 안승규 대한민국 대전광역시 서구
5 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
6 박주형 대한민국 대전광역시 유성구
7 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
8 유진수 대한민국 대전광역시 중구
9 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
10 조아라 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-1124178-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011582-41
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0532918-66
6 등록결정서
Decision to grant
2017.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0599237-21
7 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2017.09.08 수리 (Accepted) 2-1-2017-0571750-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명한 산화물 재질의 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 위에 금속재질의 후면전극패턴을 형성하는 단계;상기 후면전극패턴이 형성된 후면전극층 위에 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 위에 투명 재질의 전면전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며,상기 후면전극패턴은 금속재질의 패턴 사이에 빛이 투과하는 투과부가 형성되는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 후면전극패턴을 형성하는 단계가,후면전극층의 표면에 구형 입자들을 밀집하여 배열되도록 부착하는 부착단계;상기 구형 입자들이 밀집하여 배열된 사이 공간에 금속재질을 증착하는 증착단계; 및상기 구형 입자들을 제거하는 제거단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀의 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 구형 입자들을 선택하는 과정에서, 입자의 크기를 조절하여 후면전극패턴의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서,상기 부착단계 이후에 상기 구형 입자의 표면을 식각하여 구형입자의 부피를 줄이는 과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀의 제조방법
5 5
청구항 2에 있어서,상기 부착단계 이후에 상기 구형 입자의 부피를 팽창시키는 과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 구형 입자가 폴리스티렌 재질이고, 폴리스티렌 구형 입자를 팽창시키는 과정이 유기용매에 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀의 제조방법
7 7
[청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
8 8
투명전도성 산화물 재질의 후면전극층;상기 후면전극층 표면에 형성된 금속 재질의 후면전극패턴;상기 후면전극패턴 위에 형성된 CIGS계 광흡수층;상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 위에 형성된 투명 재질의 전면전극을 포함하여 구성되며,상기 후면전극패턴은 금속재질의 패턴 사이에 빛이 투과하는 투과부가 형성되며, 상기 광흡수층은 투과부에 노출된 후면전극층에 접하도록 형성된 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀
9 9
[청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
10 10
[청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
11 11
청구항 8에 있어서,상기 후면전극패턴의 재질이 Mo인 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀
12 12
청구항 8에 있어서,상기 후면전극층의 재질이 ITO, ZnO, 도핑된 ZnO 중에 하나인 것을 특징으로 하는 CIGS계 태양전지 셀
13 13
2개 이상의 태양전지 셀이 적층된 탠덤태양전지로서,청구항 8의 CIGS계 태양전지 셀을 1개 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤태양전지
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1 US10283654 US 미국 FAMILY
2 US20180138336 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10283654 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018138336 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 에너지국제공동연구사업 고전압 (Voc 〉 800 mV) 모듈용 CIGS계 박막 태양전지 원천기술 개발
2 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 기후변화대응기술개발사업 폴리머 기판적용 R2R 공정기반 고효율 플렉서블 CIGS 박막 태양전지 개발