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고효율 투과형 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019029658
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는 투명기판, 전면투명전극, 버퍼층과 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 후면투명전극을 포함하는 투과형 태양전지의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 투과형 태양전지에 관한 것이다. 이때 낮은 자유전자농도를 가지는 전면투명전극과 높은 자유전자농도를 가지는 후면투명전극을 이용하여, 전면투명전극의 광투과율을 높이고 후면투명전극의 장파장 영역의 입사광에 대한 반사율 및 흡수율을 증가시키는 효과가 있으며, 이를 통해 광흡수층의 광흡수율을 증대시켜, 투과형 태양전지의 효율을 증대시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/042 (2014.01.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020170171319 (2017.12.13)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1976678-0000 (2019.05.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.13)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대전 유성구
2 곽지혜 대전광역시 유성구
3 안세진 대전광역시 유성구
4 유진수 대전광역시 중구
5 안승규 대전 서구
6 박주형 대전 유성구
7 어영주 대전광역시 유성구
8 김기환 대전광역시 유성구
9 조아라 대전광역시 유성구
10 윤재호 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1242322-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0009923-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0727873-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1306621-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1306617-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
8 등록결정서
Decision to grant
2019.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0169279-99
9 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2019.05.02 수리 (Accepted) 2-1-2019-0310001-22
10 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0594919-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판;상기 투명기판 상에 위치하는 전면투명전극; 상기 전면투명전극 상에 위치하는 광흡수층; 및상기 광흡수층 상에 위치하는 후면투명전극을 포함하고,상기 전면투명전극의 자유전자 농도는, 상기 후면투명전극의 자유전자 농도보다 낮은 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극은, 입사광 전파장 영역에 대한 투과율을 높이기 위하여 2 x 1020 cm-3 이하의 자유전자농도를 가지는 것을 특징으로 하고 상기 후면투명전극은 가시광 및 적외선 파장 영역에 대한 반사율 및 흡수율을 높이기 위하여 2 x 1020 cm-3 이상의 자유전자농도를 가지는 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극의 낮은 자유전자농도를 보상하기 위하여 상기 전면투명전극의 전자이동도는 40cm2/V·s 이상인 투과형 태양전지
2 2
투명기판;상기 투명기판 상에 위치하는 후면투명전극; 상기 후면투명전극 상에 위치하는 광흡수층; 및상기 광흡수층 상에 위치하는 전면투명전극을 포함하고,상기 전면투명전극의 자유전자 농도는, 상기 후면투명전극의 자유전자 농도보다 낮은 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극은, 입사광 전파장 영역에 대한 투과율을 높이기 위하여 2 x 1020 cm-3 이하의 자유전자농도를 가지는 것을 특징으로 하고 상기 후면투명전극은 가시광 및 적외선 파장 영역에 대한 반사율 및 흡수율을 높이기 위하여 2 x 1020 cm-3 이상의 자유전자농도를 가지는 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극의 낮은 자유전자농도를 보상하기 위하여 상기 전면투명전극의 전자이동도는 40cm2/V·s 이상인 투과형 태양전지
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 투명기판은 유리, 투명 플라스틱 및 이들의 혼합물 중 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지
4 4
삭제
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전면투명전극은 ITO, AZO, GZO, BZO, IZO, IGZO 및 InOX:H 중 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 후면투명전극은 ITO, AZO, GZO, BZO, IZO, IGZO, InOX:H 및 이들의 혼합물 중 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 후면투명전극은 Au, Ag, Al 또는 Ti 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속박막이고, 이때 금속박막의 두께가 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지
8 8
제1항에 있어서,상기 전면투명전극 및 상기 광흡수층 사이에 상기 전면투명전극 상에 위치하는 제1버퍼층 또는 상기 광흡수층 및 상기 후면투명전극 사이에 상기 광흡수층 상에 위치하는 제2버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지
9 9
제2항에 있어서,상기 후면투명전극 및 상기 광흡수층 사이에 상기 후면투명전극 상에 위치하는 제1버퍼층 또는 상기 광흡수층 및 상기 전면투명전극 사이에 상기 광흡수층 상에 위치하는 제2버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지
10 10
제8항 또는 제9항에 있어서,상기 버퍼층은 PEDOT:PSS, CuPC, C60, Au, Pentacene, LiF, CdS, ZnS, ZnSe, ZnO, ZnMgO, ZnInSex, InSex, In2S3 및 In(OH)3를 포함하는 pn 또는 pin 접합형성을 위한 버퍼 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지
11 11
투명기판 상에 전면투명전극을 형성하는 단계; 상기 전면투명전극 상에 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 상에 후면투명전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전면투명전극의 자유전자 농도는, 상기 후면투명전극의 자유전자 농도보다 낮은 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극은, 입사광 전파장 영역에 대한 투과율을 높이기 위하여 2 x 1020 cm-3 이하의 자유전자농도를 가지는 것을 특징으로 하고 상기 후면투명전극은 가시광 및 적외선 파장 영역에 대한 반사율 및 흡수율을 높이기 위하여 2 x 1020 cm-3 이상의 자유전자농도를 가지는 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극의 낮은 자유전자농도를 보상하기 위하여 상기 전면투명전극의 전자이동도는 40cm2/V·s 이상인 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극을 형성하는 단계에서, 상기 전면투명전극을 증착 후 열처리를 수행하여 입자 성장을 유도하여 전자이동도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지의 제조방법
12 12
투명기판 상에 후면투명전극을 형성하는 단계; 상기 후면투명전극 상에 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 상에 전면투명전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전면투명전극의 자유전자 농도는, 상기 후면투명전극의 자유전자 농도보다 낮은 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극은, 입사광 전파장 영역에 대한 투과율을 높이기 위하여 2 x 1020 cm-3 이하의 자유전자농도를 가지는 것을 특징으로 하고 상기 후면투명전극은 가시광 및 적외선 파장 영역에 대한 반사율 및 흡수율을 높이기 위하여 2 x 1020 cm-3 이상의 자유전자농도를 가지는 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극의 낮은 자유전자농도를 보상하기 위하여 상기 전면투명전극의 전자이동도는 40cm2/V·s 이상인 것을 특징으로 하고,상기 전면투명전극을 형성하는 단계에서, 상기 전면투명전극을 증착 후 열처리를 수행하여 입자 성장을 유도하여 전자이동도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 투과형 태양전지의 제조방법
13 13
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14 14
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17 17
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18 18
삭제
19 19
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20 20
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21 21
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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