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이온교환수지로 형성된 베이스층; 및베이스층 상에 유체 흐름을 안내하기 위한 복수 개의 돌출부재를 갖는 패턴층을 포함하며,적어도 하나의 돌출부재는 베이스층과 반대되는 전하를 갖는 이온교환수지로 형성되며,1가 이온은 베이스층을 통과하고, 다가 이온은 돌출부재와의 정전기적 반발력에 의해 베이스층을 통과하지 못하고 유체의 흐름에 따라 배출되도록 마련된, 패턴형 이온 교환막
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제 1항에 있어서,베이스층이 양이온 교환막일 때, 패턴층은 트리메틸암모늄기(-N(CH3)3+)를 포함하는, 패턴형 이온 교환막
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제 1 항에 있어서,베이스층이 음이온 교환막일 때, 패턴층은 술폰산기(-SO3-) 또는 카르복실기(-COO-) 또는 인산기(-PO4-) 중 적어도 하나를 포함하는, 패턴형 이온 교환막
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제 1 항에 있어서,상기 베이스층은 두께가 10 내지 50㎛이고, 돌출부재는 높이가 0
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◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제1 전극;제1 전극과 전기적으로 연결된 제2 전극;제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되고, 이온교환수지로 형성된 제1 베이스층 및 제1 베이스층 상에 유체 흐름을 안내하기 위한 복수 개의 돌출부재를 갖는 제1 패턴층을 포함하는 제1 이온교환막; 및이온교환수지로 형성되고, 제1 전극과 제2 전극 사이에, 제1 패턴층에 접촉하게 배치된 제2 베이스층 및 제2 베이스층 상에 유체 흐름을 안내하기 위한 복수 개의 돌출부재를 갖는 제2 패턴층을 포함하는 제2 이온교환막을 포함하며,제1 패턴층의 적어도 하나의 돌출부재는 제1 베이스층과 반대되는 전하를 갖는 이온교환수지로 형성되고,1가 이온은 제1 베이스층을 통과하고, 다가 이온은 돌출부재와의 정전기적 반발력에 의해 제1 베이스층을 통과하지 못하고 유체의 흐름에 따라 배출되도록 마련된, 역전기투석장치
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제 9항에 있어서,제2 패턴층의 적어도 하나의 돌출부재는 제2 베이스층과 반대되는 전하를 갖는 이온교환수지로 형성된, 역전기투석장치
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제 9 항에 있어서,제1 베이스층은 양이온 교환막이고, 제1 패턴층은 트리메틸암모늄기(-N(CH3)3+)를 포함하며,제2 베이스층이 음이온 교환막이고, 제2 패턴층은 술폰산기(-SO3-) 또는 카르복실기(-COO-) 또는 인산기(-PO4-) 중 적어도 하나를 포함하는, 역전기투석장치
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◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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