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(A) 에뮬레이터를 통해 플래시 메모리에 0 또는 1로 이루어지는 비트 데이터가 기록될 때, 최대 전하량에서 분류된 범위 내로 각 셀의 비트 데이터에 대응되는 범위 내로 아날로그 형태의 전하량이 기록되는 단계와,(B) 플래시 메모리의 데이터를 읽을 때, 각 셀에 기록된 전하량을 서로 다른 전압(voltage) 분포를 가지고 분류된 임계 전압(threshold voltage)으로 각각 분류하는 단계와,(C) 각 셀에 삽입된 전하량을 상기 임계 전압으로 분류된 범위와 비교하여 각 셀에 저장된 전하량과 매칭되는 임계 전압의 범위를 검출하여 대응되는 비트로 판별하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 신뢰성 검증을 위한 아날로그 정보 기반 에뮬레이션 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (A) 단계는셀이 유지할 수 있는 최대 전하량을 검출하는 단계와,상기 검출된 최대 전하량을 기반으로 각 셀에 저장되는 비트에 대응되는 개수의 평균값으로 분류된 일정 범위를 갖는 임계 전압(threshold voltage)을 설정하는 단계와,상기 설정된 임계 전압으로 분류된 범위를 기반으로 기록될 비트 데이터에 대응되는 전하량을 각 셀에 기록하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 신뢰성 검증을 위한 아날로그 정보 기반 에뮬레이션 방법
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제 1 항에 있어서,상기 셀은 워드 라인과 비트 라인으로 연결되어 있으며, 워드 라인에는 주소(페이지 번호)가 들어가고, 비트 라인에는 해당 주소로 쓸 데이터 또는 주소에서 읽은 데이터가 전달되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 신뢰성 검증을 위한 아날로그 정보 기반 에뮬레이션 방법
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셀이 유지할 수 있는 최대 전하량을 검출하는 최대 전하량 검출부와,상기 검출된 최대 전하량을 각 셀에 저장되는 비트 데이터에 대응되는 개수의 평균값으로 분류한 일정한 범위를 갖는 임계 전압을 설정하는 범위 설정부와,상기 설정된 임계 전압으로 분류된 범위를 기반으로 기록되는 데이터에 대응되는 범위 내의 아날로그 형태의 전하량을 각 셀에 기록하는 셀 기록부와,상기 각 셀에 기록된 전하량을 서로 다른 전압(voltage) 분포를 가지는 임계 전압(threshold voltage)으로 각각 분류하는 임계전압 분류부와,상기 임계전압 분류부에서 분류된 각 셀에 기록된 전하량을 임계전압 범위에 대응되는 비트 데이터와 매칭시키는 매칭부와,상기 매칭부에서 매칭되는 비트 데이터를 판별하는 비트 판별부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 신뢰성 검증을 위한 아날로그 정보 기반 에뮬레이션 장치
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제 4 항에 있어서,상기 임계전압 분류부는 셀이 유지할 수 있는 최대 전하량을 각 셀에 저장되는 비트에 대응되는 개수의 평균값으로 분류한 일정한 범위로 분류되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 신뢰성 검증을 위한 아날로그 정보 기반 에뮬레이션 장치
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