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i) 투명기판 상에 TiO2 나노입자를 포함하는 경화성 용액을 코팅한 후 노광하여 광추출층을 형성하는 단계;ii) 상기 광추출층 상에 폴리(피로멜리틱 디언하이드라이드-코-4,4’-옥시디아닐린)을 포함하는 3 내지 7 중량% 농도의 고분자 용액을 코팅하여 20 내지 50 nm 범위의 두께를 갖는 안정화층을 형성하는 단계; 및iii) 상기 안정화층 상에 금속 그리드 전극을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 투명 기판은 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리(에테르설폰), 폴리(에틸렌테레프탈레이트), 폴리(메틸메타크릴레이트), 폴리(에테르에테르케톤), 유리로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 광추출층은 TiO2 나노입자를 포함하는 경화성 용액은 네거티브 포토레지스트 용액인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 포토레지스트 용액을 코팅한 후 노광 전에 80 내지 120℃의 범위에서 프리베이킹(prebaking)하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 포토레지스트 용액의 노광 후에 100 내지 300℃의 범위에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 TiO2 나노입자의 크기는 100 내지 1000 nm 범위인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 안정화층을 형성하는 단계는 고분자 용액을 스핀 코팅하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 용액의 용매는 디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 방향족 탄화수소계 용매 중에서 1종 이상 선택된 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광추출층을 형성하기 전에 투명 기판 상에 안정화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 투명 기판 상에 형성된 안정화층은 폴리(피로멜리틱 디언하이드라이드-코-4,4’-옥시디아닐린)를 포함하는 고분자 용액을 코팅하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 그리드 전극은 Ag 그리드 전극인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 그리드 전극의 선폭은 50 내지 150㎛ 범위이며, 간격은 100 내지 300㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법
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a) 투명 기판, b) 투명 기판 상에 형성된 광추출층, c) 상기 광추출층 상에 형성된 안정화층 및 d) 상기 안정화층 상에 형성된 금속 그리드 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 광추출층은 TiO2 나노입자를 포함하고, 상기 안정화층은 폴리(피로멜리틱 디언하이드라이드-코-4,4’-옥시디아닐린)을 포함하며, 20 내지 50 nm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제15항에 있어서,상기 투명 기판과 상기 광추출층 사이에 안정화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제15항에 있어서, 상기 투명 기판은 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리(에테르설폰), 폴리(에틸렌테레프탈레이트), 폴리(메틸메타크릴레이트), 폴리(에테르에테르케톤), 유리로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제15항에 있어서, 상기 TiO2 나노입자의 크기는 100 내지 1000 nm 범위인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제15항에 있어서, 상기 전극은 Ag 그리드 전극인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제15항에 있어서, 상기 그리드 전극의 선폭은 50 내지 150 ㎛ 범위이며, 간격은 100 내지 300 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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