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캐소드 상에 형성된 전자 수송·주입층;상기 전자 수송·주입층 상에 형성된 발광층;상기 발광층 상에 형성된 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성된 정공 주입층; 및상기 정공 주입층 상에 형성된 애노드를 포함하고,상기 발광층은 균일하게 배열된 나노 기공들을 갖는 블록공중합체층을 포함하고,하나의 상기 나노 기공 내에 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 양자점들이 담지되고 상기 양자점은 유기 리간드로 코팅되어 인가 전압에 따라 발광 파장이 변화하는 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 블록공중합체층은 육각 배열된 원기둥 형태의 상기 나노 기공들을 갖고,상기 나노 기공들은 10 nm 내지 100 nm의 지름을 갖는 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 블록공중합체층은 이중블록공중합체 또는 삼중블록공중합체이고,상기 이중블록공중합체는 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타클릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리스틸렌-블럭-폴리2비닐피리딘(PS-b-P2VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비닐피리딘(PS-b-P4VP) 또는 폴리스틸렌-블럭-폴리디메틸실록산(PS-b-PDMS)이고,상기 삼중블록공중합체는 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔-블럭-폴리스티렌 또는 폴리스티렌-블럭-폴리이소프랜-블럭-폴리스티렌인 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 유기 리간드는 상기 블록공중합체층의 표면과 표면 에너지 차이로 인한 반발력을 갖는 것인 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 블록공중합체층은 폴리스틸렌-블럭-폴리2비닐피리딘(PS-b-P2VP)이고, 상기 양자점은 올레 산(Oleic acid)로 코팅된 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 양자점은 3 nm 내지 15 nm의 직경을 갖는 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 전자 수송·주입층은 ZnO이고,상기 정공 수송층은 4,4'-N,N-디카바졸비페닐(CBP)이고,상기 정공 주입층은 MoO3인 양자점 발광 다이오드
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캐소드를 형성하는 단계;상기 캐소드 상에 전자 수송·주입층을 형성하는 단계;상기 전자 수송·주입층 상에 블록공중합체 박막을 형성하는 단계;상기 블록공중합체 박막을 상분리 하여 균일하게 배열된 원기둥 패턴을 형성하는 단계;상기 원기둥 패턴을 선택적으로 식각하여 나노 기공이 형성된 블록공중합체층을 형성하는 단계;상기 블록공중합체층 상에 서로 다른 발광 파장을 갖는 양자점들을 동시에 도입하는 단계;상기 블록공중합체층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 정공 주입층을 형성하는 단계; 및상기 정공 주입층 상에 애노드를 형성하는 단계를 포함하는 양자점 발광 다이오드의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 전자 수송·주입층 상에 블록공중합체 박막을 형성하는 단계는이중블록공중합체 또는 삼중블록공중합체를 유기 용매에 용해시켜 블록공중합체 혼합 용액을 제조하는 단계; 및상기 블록공중합체 혼합 용액을 상기 전자 수송·주입층 상에 스핀 코팅(Spin coating) 하여 상기 블록공중합체 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기 용매는 톨루엔(Toluene), 클로로포름(Chloroform), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran), 자일렌(Xylene) 또는 벤젠(Benzene)이고,상기 이중블록공중합체는 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타클릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리스틸렌-블럭-폴리2비닐피리딘(PS-b-P2VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비닐피리딘(PS-b-P4VP) 또는 폴리스틸렌-블럭-폴리디메틸실록산(PS-b-PDMS)이고,상기 삼중블록공중합체는 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔-블럭-폴리스티렌 또는 폴리스티렌-블럭-폴리이소프랜-블럭-폴리스티렌인 양자점 발광 다이오드의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 블록공중합체 박막을 상분리 하여 균일하게 배열된 원기둥 패턴을 형성하는 단계는상기 블록공중합체 박막 상에 0
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제8항에 있어서,상기 원기둥 패턴의 직경은 상기 블록공중합체의 분자량에 따라 변화하는 양자점 발광 다이오드의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 원기둥 패턴을 선택적으로 식각하여 나노 기공이 형성된 블록공중합체층을 형성하는 단계는극성 유기 용매를 이용하여 상기 원기둥 패턴 내의 블록공중합체 사슬을 선택적으로 용해시키는 단계; 및산소 플라즈마(Oxygen plasma)를 이용하여 상기 블록공중합체 박막의 표면을 식각하는 단계를 포함하는 양자점 발광 다이오드의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 블록공중합체층 상에 서로 다른 발광 파장을 갖는 양자점들을 동시에 도입하는 단계는상기 유기 리간드 물질로 코팅된 양자점이 분산된 양자점 콜로이드 용액을 준비하는 단계; 및상기 양자점 콜로이드 용액을 상기 블록공중합체층 상에 스핀코팅하는 단계를 포함하고,상기 유기 리간드 물질은 블록공중합체층의 표면과 표면 에너지 차이로 인한 반발력을 가지며,상기 양자점 콜로이드 용액은 3 nm 내지 15 nm의 직경을 갖는 양자점들이 유기 용매에 균일하게 분산된 용액인 발광 다이오드의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 유기 리간드 물질은 올레 산(Oleic acid)인 양자점 발광 다이오드의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 블록공중합체층은 육각 배열된 원기둥 형태의 상기 나노 기공들을 갖고,상기 나노 기공들은 10 nm 내지 100 nm의 지름을 갖는 양자점 발광 다이오드의 제조 방법
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