| 1 |
1
표시 패널;상기 표시 패널에 위치하는 커버 플레이트;상기 표시 패널과 상기 커버 플레이트 사이에 위치하는 점착층을 포함하고,상기 점착층은 메인 점착층 및 박막층을 포함하고, 상기 박막층은 제1 박막층 및 상기 제1 박막층 상에 위치하는 제2 박막층을 포함하며, 상기 제1 박막층은 실란을 포함하고 상기 제2 박막층은 불소를 포함하며,상기 제2 박막층은 상기 제1 박막층과 상기 커버 플레이트 사이에 위치하는 표시 장치
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 제2 박막층은 상기 커버 플레이트와 접촉하는 표시 장치
|
| 3 |
3
제1항에서
|
| 4 |
4
제1항에서,상기 제2 박막층의 두께는 1 nm 내지 10 ㎛인 표시 장치
|
| 5 |
5
제1항에서,상기 제1 박막층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 표시 장치:[화학식 1]상기 R1, R2는 탄소를 포함하는 작용기이다
|
| 6 |
6
제1항에서,상기 제2 박막층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 표시 장치:[화학식 2]상기 A는 불소를 포함하는 작용기다
|
| 7 |
7
제1항에서,상기 박막층은 상기 메인 점착층의 일부 영역에만 위치하는 표시 장치
|
| 8 |
8
제7항에서,상기 박막층은 상기 메인 점착층 전체 영역의 1% 내지 100%의 면적과 중첩하는 표시 장치
|
| 9 |
9
제7항에서,상기 박막층은 서로 이격된 복수개의 섬 형상인 표시 장치
|
| 10 |
10
제7항에서,상기 박막층은 서로 이격된 복수개의 막대 형상인 표시 장치
|
| 11 |
11
제1항에서,상기 제1 박막층 및 상기 제2 박막층의 가시광선 영역에서의 광투과도가 92% 이상인 표시 장치
|
| 12 |
12
제1항에서,상기 제1 박막층 및 상기 제2 박막층의 헤이즈값이 0
|
| 13 |
13
제1항에서,상기 제2 박막층의 접촉각은 105도 이상인 표시 장치
|
| 14 |
14
제1항에서,상기 제2 박막층의 표면 에너지는 20 mN/m이하인 표시 장치
|
| 15 |
15
표시 패널을 준비하는 단계;상기 표시 패널에 점착층을 형성하는 단계;상기 점착층 상에 커버플레이트를 부착하는 단계를 포함하고,상기 점착층을 형성하는 단계는 메인 점착층을 준비하는 단계;상기 메인 점착층상에 실란을 포함하는 제1 박막층을 형성하는 단계;상기 제1 박막층 상에 불소를 포함하는 제2 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 16 |
16
제15항에서,상기 메인 점착층상에 실란을 포함하는 제1 박막층을 형성하는 단계 및 상기 제1 박막층 상에 불소를 포함하는 제2 박막층을 형성하는 단계는 열 진공 증착법, 스프레이 코팅법 또는 딥 코팅법으로 이루어지는 표시 장치의 제조 방법
|
| 17 |
17
제15항에서,상기 메인 점착층을 준비하는 단계와 상기 메인 점착층상에 실란을 포함하는 제1 박막층을 형성하는 단계 사이에,상기 메인 점착층상에 마스크를 위치시키는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 18 |
18
제17항에서,상기 마스크의 개구부 면적은 2% 내지 50%인 표시 장치의 제조 방법
|
| 19 |
19
제15항에서,상기 제1 박막층의 두께는 1 nm 내지 10 ㎛이고, 상기 제2 박막층의 두께는 1 nm 내지 10 ㎛ 표시 장치의 제조 방법
|
| 20 |
20
제15항에서,상기 제1 박막층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고,상기 제2 박막층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 표시 장치의 제조 방법:[화학식 1]상기 R1, R2는 탄소를 포함하는 작용기이다
|
