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표면 플라즈모닉 센서 칩의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2019029909
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표면 플라즈모닉 센서 칩이 제공된다. 상기 표면 플라즈모닉 센서 칩은 실리콘 산화물 박막, 상기 실리콘 산화물 박막 상부에 배치되는 금속 박막, 상기 금속 박막 상부에 배치되는 감지막, 상기 감지막 상부에 배치되고 상기 감지막의 중앙 부분을 제외한 둘레에 형성되는 가스 투과 접착제 및 상기 가스 투과 접착제의 상부에 배치되는 지지기판을 포함한다.
Int. CL G01N 21/552 (2014.01.01) H01L 21/3205 (2006.01.01) H01L 21/283 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC G01N 21/554(2013.01) G01N 21/554(2013.01) G01N 21/554(2013.01) G01N 21/554(2013.01)
출원번호/일자 1020160001068 (2016.01.05)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1686396-0000 (2016.12.08)
공개번호/일자 10-2016-0056311 (2016.05.19) 문서열기
공고번호/일자 (20161215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2014-0156357 (2014.11.11)
관련 출원번호 1020140156357
심사청구여부/일자 Y (2016.01.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선훈 대한민국 광주광역시 동구
2 김두근 대한민국 광주광역시 광산구
3 기현철 대한민국 광주광역시 북구
4 김태언 대한민국 광주광역시 서구
5 이동열 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0009023-50
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0238931-43
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0460872-08
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0518752-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0630644-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0630665-41
7 등록결정서
Decision to grant
2016.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0853546-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 몰리브덴 희생층을 적층하는 단계;상기 몰리브덴 희생층 상에 실리콘 산화물 박막을 적층하는 단계;상기 실리콘 산화물 박막 상에 금속 박막을 적층하는 단계;상기 금속 박막 상에 감지막을 적층하는 단계;상기 감지막 상에 가스 투과 접착제를 적층하는 단계;상기 가스 투과 접착제 상에 다수의 홀이 형성된 지지기판을 적층하는 단계; 및상기 몰리브덴 희생층을 식각하는 단계를 포함하는 표면 플라즈모닉 센서 칩의 제작 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속 박막은 금, 은, 백금, 구리, 알루미늄 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈모닉 센서 칩의 제작 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 감지막은 산화물 감지막, 바이오 수용체(Bio Receptor), 화학 수용체(Chemical Receptor) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈모닉 센서 칩의 제작 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 지지기판은 유리 또는 실리콘 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈모닉 센서 칩의 제작 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 식각은 습식 식각인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈모닉 센서 칩의 제작 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 습식 식각은 H2O2 용액, H3PO4 + HNO3 + CH3COOH + H2O 혼합액, K3Fe(CN)6 + KOH + H2O 혼합액, HCl + H2O2 + H2O 혼합액 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합에 의해 이루어지는 표면 플라즈모닉 센서 칩의 제작 방법
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1 KR101686397 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 해양수산부 한국광기술원 수산실용화기술개발사업 양식장의 수 환경 모니터링을 위한 기본환경 실시간 측정 시스템 개발