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무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2019029914
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시 예에 따른 무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드는 기판 상에 형성되는 제1반도체층, 상기 제1반도체층 상에 형성되는 활성층, 상기 활성층 상에 형성되고, 상기 제 1 반도체층과 대응되는 제 2 반도체층, 및 상기 제 2 반도체층 상에 형성되고, 적어도 하나 이상의 다이아몬드상 탄소(DLC, diamond like carbon)층과 황화아연(ZnS) 및 셀레늄화아연(ZnSe) 중 적어도 하나 이상의 층을 구비하는 무반사층을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/26 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160040806 (2016.04.04)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1731857-0000 (2017.04.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선훈 대한민국 광주광역시 동구
2 김두근 대한민국 광주광역시 광산구
3 기현철 대한민국 광주광역시 북구
4 김태언 대한민국 광주광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0320618-78
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0425319-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0039906-89
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0268646-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0268660-11
6 등록결정서
Decision to grant		 2017.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0285261-97
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0855832-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되는 제1반도체층;상기 제1반도체층 상에 형성되는 활성층;상기 활성층 상에 형성되고, 상기 제 1 반도체층과 대응되는 제 2 반도체층; 및상기 제 2 반도체층 상에 형성되고, 적어도 하나 이상의 다이아몬드상 탄소(DLC, diamond like carbon)층과 황화아연(ZnS) 및 셀레늄화아연(ZnSe) 중 적어도 하나 이상의 층을 구비하는 무반사층을 포함하되,상기 무반사층은,상기 황화아연 또는 상기 셀레늄화아연을 기준으로, 상부 및 하부에 상기 다이아몬드상 탄소(DLC)층이 형성되는 구조를 포함하는 무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 무반사층은,상기 제 2 반도체층의 일부 영역을 외부로 노출하는 리세스를 적어도 하나이상 구비하고, 상기 리세스 내부에 형성되어 상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극을 적어도 하나 이상 구비하는 무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은,상기 기판의 상에 n형 또는 p형 InAsSbP 또는 AlGaAsSb 물질로 형성되고,상기 제2 반도체층은,상기 활성층 상에 상기 제1 반도체층과 반대로 대응되는 p형 또는 n형 InAsSbP 또는 AlGaAsSb 물질로 형성되는 무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드
5 5
제1항에 있어서,상기 활성층은,제1및 2반도체층을 InAsSbP 물질로 한 경우 InAsSb 물질 또는 InGaAs물질로 형성되는 장벽층 및 InAsSb물질로 형성되는 우물층을 적어도 하나 이상 구비하는 단일 또는 다중양자 우물구조를 포함하는 무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드
6 6
제1항에 있어서,상기 활성층은,제1및 2반도체층을 AlGaAsSb 물질로 한 경우 InAsSb 물질 또는 AlGaAs물질로 형성되는 장벽층 및 InGaSb물질로 형성되는 우물층을 적어도 하나 이상 구비하는 단일 또는 다중양자 우물구조를 포함하는 무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드
7 7
제1항에 있어서,상기 기판은,비소화인듐(InAs) 및 안티몬화갈륨(GaSb) 중 어느 하나로 형성되는 무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국광기술원 소재부품기술개발사업 중적외선 (2 - 5㎛) 발광 다이오드용 에피 기술 개발