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엘이디용 봉지재 경화방법에 있어서,(a) 고분자 화합물(210) 및 열원부(220)를 포함하는 봉지재(200)를 준비하는 단계;(b) 상기 열원부(220)가 혼합된 고분자 화합물(210) 봉지재(200)를 패키지 프레임(100)에 주입하는 단계;(c) 상기 패키지 프레임(100)에 상기 열원부(220)를 혼합한 고분자 화합물(210)를 포함하는 봉지재(200)가 주입되면, 광원 모듈(300)이 상기 열원부(220)의 발열(500)을 유도하는 800nm ~ 2um 사이의 파장의 레이저 빔(400)을 10W 내지 25W 범위의 세기로 3초 이상 조사하는 단계; 및(d) 상기 열원부(220)는 상기 레이저 빔을 흡수하여, 비발광 천이에 의해서 가열되고, 상기 가열된 열원부(220)에 의해서 열원부(220) 주변의 고분자 화합물(210)이 열전도에 의한 경화에 의해서 수축부(230)가 생성되는 단계;(e) 상기 수축부(230)에 의해서 상기 고분자 화합물(210)과 열원부(220) 사이의 계면이 줄어들게 함으로써, 상기 고분자 화합물(210)과 열원부(220) 사이의 밀착력이 향상되어, 상기 고분자 화합물(210)과 열원부(220) 사이의 개스 배리어성을 향상시키는 단계;(f) 상기 열원부(220)에서 발상된 열에 의해 상기 고분자 화합물(210)의 내측으로부터 경화가 이루어져서 고분자 화합물(210)의 경화에 따른 스트레스(240)가 상기 열원부(220) 측으로 발생하는 상기 봉지재를 경화하는 단계를 포함하며, 상기 고분자 화합물(210)은 탄소섬유 화합물, 그라파이트, 그라핀, 탄소나노튜브, 실리콘 화합물, 질소 화합물, 붕소 화합물, 지르콘 화합물, 티타늄 화합물, 알루미늄 화합물, 아연 화합물 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 열원부(220)는 비발광 천이를 통해 발열하는, 필러 또는 형광체 중 적어도 하나로 이루어며, 상기 열원부(220)는 상기 고분자 화합물(210)과 1wt% 내지 50wt% 중 어느 하나의 비율로 혼합되고,상기 경화된 봉지재는 잔류 발열 반응에서 흡열(heat flow endo up)값이 -5mW 내지 0mW 인것을 특징으로 하는 엘이디용 봉지재 경화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열원부가 형광체인 경우, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Halide, Quantum dot 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 엘이디용 봉지재 경화 방법
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