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기판 표면 처리 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2019029946
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 표면처리장치에 관한 것으로서, 내부에 수용공간을 갖으며 석영소재로 된 챔버와, 챔버 외측에 배치되며 연소에 의해 챔버에 열을 인가하는 연소 가열부와, 챔버 내부에 수용된 처리대상기판에 표면 처리용 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비하고, 처리대상기판은 SiC 단결정 웨이퍼 또는 SiC 단결정 웨이퍼 위에 비정질 SiC가 성막된 비정질 SiC박막을 갖는 것이 적용되고, 표면 처리용 가스는 SiH4, C3H5, H2, Cl2 중 적어도 하나를 포함한다. 이러한 기판 표면 처리 장치 및 방법에 의하면, 가열 구조가 단순하면서도 표면처리 효율이 좋은 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67098(2013.01) H01L 21/67098(2013.01) H01L 21/67098(2013.01) H01L 21/67098(2013.01) H01L 21/67098(2013.01)
출원번호/일자 1020170024901 (2017.02.24)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1872989-0000 (2018.06.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.24)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고항주 대한민국 광주광역시 북구
2 김성민 대한민국 전라남도 보성군
3 안춘호 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0194118-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0133636-74
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0405619-19
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0405618-63
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0415422-47
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
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내부에 수용공간을 갖으며 석영소재로 된 챔버 내에 처리대상기판을 내장하고, 상기 챔버 외측에서 연소 가열부의 연소에 의해 상기 챔버내부에 열을 인가하고, 상기 챔버 내부에 수용된 처리대상 기판에 가스공급부로부터 표면 처리용 가스를 공급하면서 기판의 표면을 처리하는 방법에 있어서,가
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제4항에 있어서, 상기 비정질 SiC박막은 두께가 2nm 내지 1000nm인 것을 적용하는 것을 특징으로 하는 기판의 표면 처리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)하이쏠라 지역특화산업육성 복합 CMP 슬러리에 의한 연마가공기술 및 표면개질기술을 이용한 4inch SIC 웨이퍼 개발