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양면성장이 가능한 GaN 기판 및 이를 이용하여 제조된 광소자

  • 기술번호 : KST2019029950
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시되는 양면성장이 가능한 GaN 기판은, 제1 성장면; 및 상기 제1 성장면의 반대 면인 제2 성장면;을 가지며, 상기 제1,2 성장면은 표면원자의 구성이 동일한 것으로 구비되며, 양면성장이 가능한 GaN 기판을 이용하여 제조된 광소자는, 제1,2 성장면을 가지는 GaN 기판; 상기 제1 성장면에 성장되는 제1 화합물 반도체; 및 상기 제2 성장면에 성장되는 제2 화합물 반도체;를 포함하고, 상기 제1,2 화합물 반도체는 동시에 또는 순차로 성장되어 구비된다.
Int. CL H01L 31/12 (2006.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01)
출원번호/일자 1020170052147 (2017.04.24)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1885283-0000 (2018.07.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
2 정태훈 대한민국 광주광역시 광산구
3 백종협 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 명장 대한민국 충청북도 청주시 서원구 산남로**번길 **, ***호(산남동, 원홍빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0397493-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0139872-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0661058-44
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1155716-86
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1273935-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0076673-35
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.01.22 무효 (Invalidation) 1-1-2018-0076088-35
9 보정요구서
Request for Amendment
2018.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0017739-26
10 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2018.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0033356-18
11 보정요구서
Request for Amendment
2018.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0033956-03
12 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0218338-42
13 등록결정서
Decision to grant
2018.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0499777-86
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
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제1 성장면; 및 상기 제1 성장면의 반대 면인 제2 성장면;을 가지며, 상기 제1,2 성장면은 표면원자의 구성이 동일한 것으로 구비되되, 상기 제1,2 성장면은, 반극성면 또는 무극성면으로 구비되고, 상기 제1,2 성장면은, (0001)면 또는 (000-1)에 대하여 0 내지 90도 사이의 결정 방향을 갖는 는 양면성장이 가능한 GaN 기판;상기 제1 성장면에 성장되되, LED(light emitting diode), LD(laser diode), PD(photo diode) 및 Sollar cell로 정의되는 반도체소자 그룹 중에서 선택된 어느 하나로 구비되는 제1 화합물 반도체; 및상기 제2 성장면에 성장되되, LED(light emitting diode), LD(laser diode), PD(photo diode) 및 Sollar cell로 정의되는 반도체소자 그룹 중에서 선택된 어느 하나로 구비되는 제2 화합물 반도체;를 포함하고,상기 제1,2 화합물 반도체는 동시에 또는 순차로 성장되어 구비되는 양면성장이 가능한 GaN 기판을 이용하여 제조된 광소자
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청구항 4에 있어서,상기 제1,2 화합물 반도체가 동일한 반도체소자로 구비되는 경우, 양자의 성장조건은 동일한 것을 특징으로 하는 양면성장이 가능한 GaN 기판을 이용하여 제조된 광소자
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청구항 4에 있어서,상기 제1,2 화합물 반도체가 서로 다른 반도체소자로 구비되는 경우, 최고 성장온도가 상대적으로 높은 소자를 먼저 성장시킨 후, 최고성장온도가 상대적으로 낮은 소자를 성장시키는 것을 특징으로 하는 양면성장이 가능한 GaN 기판을 이용하여 제조된 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국광기술원 전자정보디바이스산업원천기술개발 Green LED/LD용 에피 웨이퍼 기술 개발