| 1 |
1
입사된 빛을 흡수하여 전류를 발생하는 광 감지부(110); 및상기 광 감지부(110) 상에 일체형으로 적층되어 서로 상이한 광 투과 스펙트럼을 갖도록 서로 다른 투과 면적과, 서로 다른 형상을 갖는 다층 박막구조의 검출영역(101)이 매트릭스 배열로 형성된 광 투과부(120)를 포함하는 분광센서
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 분광센서는 상기 광 감지부(110)에서 발생되는 전류를 검출하는 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분광센서
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 광 감지부(110)는 불순물을 도핑한 제1 반도체 층(111); 및상기 제1 반도체 층(111)의 불순물과 상이한 불순물로 도핑한 제2 반도체 층(112)과 접합하여 이루어진 제2 반도체 층(112)을 포함하는 것을 특징으로 하는 분광센서
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
a) 입사된 빛을 흡수하여 전류를 발생시키는 광 감지부(110)를 형성하는 단계;b) 상기 광 감지부(110)를 매트릭스 배열의 검출영역(101)으로 구획하고, 상기 광 감지부(110) 상에 임의의 패턴으로 제1 마스크층(160)을 형성하는 단계;c) 상기 광 감지부(110)를 증착 및 에칭하여 1차 광 투과부(120')를 형성하는 단계;d) 상기 형성된 1차 광 투과부(120') 상에 임의의 패턴으로 제2 마스크층(161)을 형성하는 단계;e) 상기 1차 광 투과부(120')를 증착 및 에칭하여 2차 광 투과부(120")를 형성하는 단계; 및f) 상기 광 감지부(110)에서 발생되는 전류를 검출하는 제1 전극(130)과 제2 전극(140)을 형성하는 단계를 포함하는 분광센서 제조방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,g) 상기 e) 단계는 상기 2차 광 투과부(120") 상에 임의의 패턴으로 제3 마스크층(162)을 형성하는 단계 및 f) 상기 2차 광 투과부(120")를 증착 및 에칭하여 3차 광 투과부(120'")를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분광센서 제조방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 마스크층(160, 161, 162)은 서로 다른 면적을 갖도록 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 분광센서 제조방법
|
| 9 |
9
입사된 빛을 흡수하여 전류를 발생하는 광 감지부(110)와, 상기 광 감지부(110) 상에 일체형으로 적층되어 서로 상이한 광 투과 스펙트럼을 갖도록 서로 다른 투과 면적과, 서로 다른 형상을 갖는 다층 박막구조의 검출영역(101)이 매트릭스 배열로 형성된 광 투과부(120)를 구비한 분광센서(100); 및상기 분광센서(100)의 출력신호를 처리하여 입사광의 투과 스펙트럼 정보를 복원하는 신호처리부(200)를 포함하는 분광장치
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 분광장치는 상기 신호처리부(200)에서 복원된 입사광의 투과 스펙트럼 정보를 임의의 포맷으로 변환하여 출력하는 분광신호 출력부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분광 장치
|
