| 1 |
1
기판;상기 기판 위에 성장되며, n형 In(x)Ga(1-x)N(0＜x＜1)으로 구비되는 3족 질화물계 화합물층;상기 3족 질화물계 화합물층 위에 형성된 제1 전극;상기 3족 질화물계 화합물층 위에 적층 형성되며, 유기물 또는 페로브스카이트 화합물로 구비되는 광흡수층;상기 광흡수층 위에 적층 형성되며, p형 반도체층으로 구비되는 홀 전달물질층; 및상기 홀 전달물질층 위에 구비되는 제2 전극;을 포함하는 질화물을 이용한 광전소자
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 3족 질화물계 화합물층은, 상기 광흡수층을 향하여 In 조성이 단조 증가하는 것을 특징으로 하는 질화물을 이용한 광전소자
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 3족 질화물계 화합물층은, 상기 광흡수층을 향하여 In 조성이 계단 형식으로 증가하는 것을 특징으로 하는 질화물을 이용한 광전소자
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은, Au, Ag, Cr, Ni, Mo, Pt, Al 및 Cu으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질 및 이들 합금으로 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물을 이용한 광전소자
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 기판은, 사파이어(Al2O3) 기판, 실리콘 기판, 유리 기판, 금속 및 합성수지 기판 중에서 선택된 어느 하나로 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물을 이용한 광전소자
|
| 6 |
6
청구항 1의 질화물을 이용한 광전소자 제조방법으로서,상기 기판에 상기 3족 질화물계 화합물층을 성장시키되, 상기 광흡수층을 향하여 In 조성이 단조 증가되도록 성장시키는 제1 단계;상기 3족 질화물계 화합물층 위에 상기 제1 전극을 형성하고, 상기 제1 전극 위에 SiO2를 증착하는 제2 단계;상기 제1 전극을 포함하는 상기 3족 질화물계 화합물층을 위에 상기 광흡수층을 형성하는 제3 단계;상기 광흡수층 위에 상기 홀 전달물질층을 형성하는 제4 단계;상기 광흡수층으로부터 SiO2를 제거하여 상기 제1 전극을 노출시키는 제5 단계; 및상기 홀 전달 물질층 위에 상기 제2 전극을 형성하는 제6 단계;를 포함하는 질화물을 이용한 광전소자 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 1의 질화물을 이용한 광전소자 제조방법으로서,상기 기판에 상기 3족 질화물계 화합물층을 성장시키되, 상기 광흡수층을 향하여 In 조성이 계단 형식으로 증가되도록 성장시키는 제1 단계;상기 3족 질화물계 화합물층 위에 상기 제1 전극을 형성하고, 상기 제1 전극 위에 SiO2를 증착하는 제2 단계;상기 제1 전극을 포함하는 상기 3족 질화물계 화합물층을 위에 상기 광흡수층을 형성하는 제3 단계;상기 광흡수층 위에 상기 홀 전달물질층을 형성하는 제4 단계;상기 광흡수층으로부터 SiO2를 제거하여 상기 제1 전극을 노출시키는 제5 단계; 및상기 홀 전달 물질층 위에 상기 제2 전극을 형성하는 제6 단계;를 포함하는 질화물을 이용한 광전소자 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,상기 광흡수층은, 페로브스카이트 화합물로 구비되며, 스핀 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물을 이용한 광전소자 제조방법
|
