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본딩을 이용한 태양전지

  • 기술번호 : KST2019029991
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 웨이퍼 본딩을 이용한 다중접합 태양전지에 관한 것이다. 상세하게, 본 발명의 다중접합 태양전지는 III-V족 화합물 반도체를 포함하는 이중접합 태양전지 단위체; 및 상기 태양전지 단위체의 배열의 하부에 배치되는 실리콘을 포함하는 반도체로 형성되는 베이스 태양전지를 포함하고, 상기 이중접합 태양전지 단위체의 하부 및 상기 베이스 태양전지의 상부는 서로 웨이퍼 본딩으로 결합가능한 재질로 형성되고, 상기 베이스 태양전지 상에 복수의 이중접합 태양전지 단위체가 일정한 배열을 형성한다. 나아가, 본 발명의 다중접합 태양전지의 상기 이중접합 태양전지 단위체는, 제1태양전지; 제1태양전지와 하부에 배치되는 제2태양전지; 및 제1태양전지와 제2태양전지 사이에 배치되는 제1터널 배리어를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/046 (2014.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/0687 (2012.01.01) H01L 31/0725 (2012.01.01) H01L 31/054 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01) H01L 31/046(2013.01)
출원번호/일자 1020180067010 (2018.06.11)
출원인 한국전력공사, 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0140330 (2019.12.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시
2 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문승필 전라남도 나주시
2 김효진 광주광역시 광산구
3 강성현 전라남도 나주시
4 이현행 광주광역시 광산구
5 제갈성 전라남도 나주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0571822-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
III-V족 화합물 반도체를 포함하는 이중접합 태양전지 단위체; 및상기 이중접합 태양전지 단위체의 배열의 하부에 배치되는 실리콘을 포함하는 반도체로 형성되는 베이스 태양전지를 포함하고, 상기 이중접합 태양전지 단위체의 하부 및 상기 베이스 태양전지의 상부는 서로 웨이퍼 본딩으로 결합가능한 재질로 형성되고,상기 베이스 태양전지 상에 복수의 이중접합 태양전지 단위체가 일정한 배열을 형성하고, 상기 이중접합 태양전지 단위체는,제1태양전지; 제1태양전지와 하부에 배치되는 제2태양전지; 및제1태양전지와 제2태양전지 사이에 배치되는 제1터널 배리어를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 이중접합 태양전지 단위체의 제1태양전지는 AlGaAs 화합물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 이중접합 태양전지 단위체의 제2태양전지는 GaAs 화합물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 이중접합 태양전지 단위체와 상기 베이스 태양전지 사이에는 제2터널 배리어를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 이중접합 태양전지 단위체의 배열 사이로 드러난 상기 베이스 태양전지의 표면은 소정의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
6 6
제1항에 있어서,상기 베이스 태양전지는 실리콘 태양전지로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
7 7
제1항에 있어서,상기 베이스 태양전지는 Si/SiGe 이중접합 태양전지로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
8 8
제1항에 있어서,상기 이중접합 태양전지 단위체의 배열에 대응되는 집광렌즈를 구비하는 광투과층을 구비하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
9 9
다중접합 태양전지의 제조방법에 있어서,베이스 태양전지를 준비하는 단계;성장기판 상에 희생층, 제1태양전지층, 제1터널배리어층, 제2태양전지층를 순차적으로 성장시켜 III-V족 화합물 반도체를 포함하는 이중접합 태양전지층을 형성하는 단계;상기 이중접합 태양전지층을 형성하는 단계를 복수회 반복하여 다층의 이중접합 태양전지층을 형성하는 단계;제1식각용액으로 상기 다층의 이중접합 태양전지층 중 최상부에 위치한 이중접합 태양전지층을 일정한 패턴으로 식각하여 이중접합 태양전지 단위체 및 단위체의 배열을 형성하는 단계;상기 이중접합 태양전지 단위체 및 단위체의 배열을 베이스 태양전지에 웨이퍼 본딩으로 결합하는 단계; 및제2식각용액으로 최상부에 위치한 이중접합 태양전지층의 제2태양전지와 인접한 희생층을 식각하는 단계를 포함하고,상기 희생층을 식각하는 단계에서 이중접합 태양전지 단위체 및 단위체의 배열이 상기 다층의 이중접합 태양전지로부터 분리되고,상기 이중접합 태양전지 단위체 및 단위체의 배열을 형성하는 단계부터 상기 희생층을 식각하는 단계를 복수회 반복하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 베이스 태양전지를 준비하는 단계에서 상기 베이스 태양전지는 실리콘 태양전지로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 베이스 태양전지를 준비하는 단계에서 상기 베이스 태양전지는 Si/SiGe 이중접합 태양전지로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 베이스 태양전지를 준비하는 단계에서 상기 베이스 태양전지의 상부에는 제2터널 배리어를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 이중접합 태양전지층을 형성하는 단계에서 희생층은 AlAs층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
14 14
제9항에 있어서,상기 이중접합 태양전지층을 형성하는 단계에서 제1태양전지층은 AlGaAs 화합물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
15 15
제9항에 있어서,상기 이중접합 태양전지층을 형성하는 단계에서 제2태양전지층은 GaAs 화합물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
16 16
제9항에 있어서,상기 이중접합 태양전지 단위체 및 단위체의 배열을 형성하는 단계에서 상기 제1식각용액은 상기 제1태양전지층, 제1터널배리어층 및 제2태양전지층을 식각하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
17 17
제9항에 있어서,상기 희생층을 식각하는 단계 다음에 상기 이중접합 태양전지 단위체의 배열 사이의 상기 베이스 태양전지의 표면을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
18 18
제9항에 있어서,상기 이중접합 태양전지 단위체의 배열에 대응되는 집광렌즈를 구비하는 광투과층을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.