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질소 도핑된 금속 산화물 반도체층을 구비하는 금속 산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019030052
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질소 도핑된 금속 산화물 반도체층을 구비하는 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법을 제공한다. 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상에 위치하고, 게이트 절연막과의 계면에 질소가 도핑된 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계 및 금속 산화물 반도체층의 양단에 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 따르면, 금속 산화물 반도체층 및 게이트 절연막의 계면에 질소 기능기를 도입함으로써, 금속 산화물의 산소 공공의 비율을 높여 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01)
출원번호/일자 1020170032268 (2017.03.15)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1884561-0000 (2018.07.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이미정 대한민국 서울특별시 은평구
2 김채원 대한민국 서울특별시 은평구
3 박진우 대한민국 경기도 부천시 오정구
4 이여량 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0254876-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.09.07 수리 (Accepted) 9-1-2017-0031014-09
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0006148-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0119385-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0386630-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0386629-74
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0502306-78
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번호 청구항
1 1
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 아민기를 함유하는 폴리머층을 형성하는 단계;상기 아민기를 함유하는 폴리머층 상에 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물 반도체층을 열처리하는 단계; 및상기 금속 산화물 반도체층의 양단에 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 반도체층은 아민기가 도핑되고,상기 아민기는 상기 금속 산화물 반도체층의 내부 보다 상기 게이트 절연막에 인접하는 표면부에 더 높은 농도로 도핑되는 것인, 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 폴리머층 상에 금속 산화물 전구체 용액을 코팅하는 것인, 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 폴리머층을 형성하는 단계는, 상기 게이트 절연막 상에 폴리머 용액을 스핀코팅하는 것인, 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
5 5
삭제
6 6
제4항에 있어서,상기 폴리머 용액의 폴리머(polymer)는 폴리비닐아민(polyvinylamine), 폴리알릴아민(polyallylamine), 폴리리신(polylysine) 및 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine, PEI)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것인, 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체층의 금속 산화물은 산화 인듐갈륨아연(IGZO)을 포함하는 것인, 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 실리콘계 산화물을 포함하는 것인, 금속 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
9 9
기판 상에 위치하는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 위치하고, 아민기가 도핑된 금속 산화물 반도체층;상기 금속 산화물 반도체층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 상기 아민기는 상기 금속 산화물 반도체층의 내부 보다 상기 게이트 절연막에 인접하는 표면부에 더 높은 농도로 도핑된 것인, 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체층의 금속 산화물은 산화 인듐갈륨아연(IGZO)을 포함하는 것인 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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2 미래창조과학부 국민대학교 과학기술국제화사업 국민대-텍사스주립대 국제 미래재료혁신 연구소
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