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Ag, In, S 및 Zn을 함유하는 코어;상기 코어 표면을 일부 또는 전부 둘러싸고 있으며, Zn, In 및 S를 함유하는 내부 쉘(inner-shell);및상기 내부 쉘을 둘러싸고 있는 Zn 및 S를 함유하는 외부 쉘(outer-shell);을 포함하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점
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제1항에 있어서,상기 양자점에서 방출된 빛은 480 ~ 530 nm의 피크 파장을 가지며, 발광 스펙트럼의 반치폭이 80 ~ 110 nm 인 것을 특징으로 하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점
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제1항에 있어서,상기 내부 쉘은 Zn, In 및 S를 함유하는 합금 쉘이며, 상기 합금은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점
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제1항에 있어서,상기 양자점의 녹색광 색좌표는 1931 CIE 색좌표계 (CIEx, CIEy)를 기준으로 4개의 꼭지점 (0
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제1항에 있어서,상기 코어와 내부 쉘 사이의 밴드갭 차이는 0
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 양자점을 포함하는 LED 램프
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 양자점;및 Cu, In 및 S를 포함하는 적색 발광 양자점;을 포함하는 DC-LED 램프
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(1) Ag 전구체, In 전구체 및 S 전구체로부터 Ag, In 및 S를 포함하는 나노클러스터를 형성하는 단계;및(2) 상기 나노클러스터에 Zn 전구체를 주입하여 코어를 형성하고, 상기 코어 형성 후 잔여하는 In 전구체와 주입한 Zn 전구체의 발열반응을 통해 상기 코어의 표면에 Zn, In 및 S를 함유하는 내부 쉘(inner-shell)이 형성되는 단계;를 포함하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (2) 단계 이후,(3) 상기 내부 쉘 형성 후 외부 쉘(outer-shell)이 형성되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (1) 단계의 상기 나노클러스터는 Ag 전구체 1 몰 대비 In 전구체는 3 ~ 7몰, S 전구체는 6 ~ 10몰을 투입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (2) 단계의 Zn 전구체는 아연 니트레이트 하이드레이트(Zinc nitrate hydrate), 아연 아세테이트 하이드레이트(Zinc acetate hydrate), 아연 아세틸아세토네이트(Zinc acetylacetonate), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 스테레이트(Zinc sterate), 아연 카보네이트(zinc carbonate), 아연 나이트레이트(zinc nitrate) 및 상기 전구체들을 기반으로 한 전구체 화합물들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (1) 단계의 나노클러스터에 포함되는 Ag 의 몰 수와 상기 (2) 단계의 Zn 전구체의 몰 수의 비는 1 : 10 ~ 50 인 것을 특징으로 하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (2) 단계의 발열반응은 150 ~ 260 ℃ 온도 범위에서 30 ~ 240분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 계 녹색 발광 양자점의 제조방법
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