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폴리(4-비닐피리딘)(poly(4-vinylpyridine), PVPy) 유도체를 포함하는 음극 버퍼층(cathode buffer layer)을 광활성층 및 음극(cathode) 사이에 구비하되, 상기 폴리(4-비닐피리딘) 유도체는, 폴리(4-비닐피리딘부탄술톤)[poly(4-vinylpyridinebutanesultone), PVPy-ZW], 폴리(4-비닐 N-에틸 피리디늄 브로마이드)[poly(4-vinyl N-ethyl pyridinium bromide), PVPy-EtBr] 및 폴리(4-비닐 N-헵타데카플루오로옥틸 피리디늄 이오다이드)[poly(4-vinyl N-heptadecafluorooctyl pyridinium iodide), PVPy-F]로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 폴리(4-비닐피리딘부탄술톤)은 N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide, DMF) 및 니트로메탄(nitromethane, CH3NO2)을 포함하는 용매에 폴리(4-비닐피리딘) 및 부탄술톤(butanesultone)을 1:1의 몰비로 혼합하여 제조한 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 폴리(4-비닐 N-에틸 피리디늄 브로마이드)는, N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide, DMF) 및 니트로메탄(nitromethane, CH3NO2)을 포함하는 용매에 폴리(4-비닐피리딘) 및 에틸 브로마이드(ethyl bromide)을 1:1의 몰비로 혼합하여 제조한 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 폴리(4-비닐 N-헵타데카플루오로옥틸 피리디늄 이오다이드)는, N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide, DMF) 및 니트로메탄(nitromethane, CH3NO2)을 포함하는 용매에 폴리(4-비닐피리딘) 및 헵타데카플루오로-옥틸 이오다이드(heptadecafluoro-octyl iodide)를 1:1의 몰비로 혼합하여 제조한 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 음극 버퍼층은 두께가 2 내지 10 nm 인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제1항에 있어서,ITO 기판; 상기 폴리(4-비닐피리딘) 유도체를 포함하는 음극 버퍼층; 폴리(3-헥실티오펜)[Poly(3-hexylthiophene), P3HT] 및 [6,6]-페닐-C61-부틸산 메틸 에스테르([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester, PC61BM)를 포함하는 광활성층;산화몰리브덴(MoO3)를 포함하는 금속산화물층; 및은(Ag) 전극층;이 순차적으로 적층된 인버티드(inverted) 구조인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제7항에 있어서,상기 ITO 기판 및 음극 버퍼층 사이에 형성된 산화아연층(ZnO layer)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제1항에 있어서,ITO 기판; 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)[poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT] 및 폴리스티렌술폰산(polystyrene sulfonate, PSS)를 포함하는 정공주입층;폴리(3-헥실티오펜)[Poly(3-hexylthiophene), P3HT] 및 [6,6]-페닐-C61-부틸산 메틸 에스테르([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester, PC61BM))를 포함하는 광활성층;상기 폴리(4-비닐피리딘) 유도체를 포함하는 음극 버퍼층; 및알루미늄(Al) 전극층;이 순차적으로 적층된 컨벤셔널(conventional) 구조인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제9항에 있어서,상기 ITO 기판 및 상기 광활성층 사이에 형성된 산화아연층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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