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인듐 주석 산화물 나노 입자와 그래핀 산화물을 분산용매에서 혼합 및 분산시켜 상기 그래핀 산화물이 상기 인듐 주석 산화물 나노입자 표면에 코팅되게 하는 단계;상기 분산용매의 혼합물에 환원제를 첨가하여 그래핀 산화물을 환원시키는 단계;그래핀 산화물의 환원 공정 후에 액체와 입자를 분리하여, 환원된 그래핀 산화물이 코팅된 인듐 주석 산화물 나노 입자를 얻는 단계;환원된 그래핀 산화물이 코팅된 인듐 주석 산화물 나노 입자를 이용하여, 알루미나 분말/환원된 그래핀 산화물이 코팅된 인듐 주석 산화물 나노입자/알루미나 분말 순으로 적층된 샌드위치 구조체를 형성하는 단계; 및상기 샌드위치 구조체에 대해서 소결 공정을 수행하여 결정화시키는 단계를 포함하되,상기 결정화시키는 단계에서 환원된 그래핀 산화물이 인듐 주석 산화물 입계면 상에 위치하는 다결정형 인듐 주석 산화물 복합체가 제조되고,상기 다결정형 인듐 주석 산화물 복합체의 300K 내지 900K의 온도 범위에서의 전기 전도도는 3,000 내지 4,000 S/cm인 동시에 제백(Seebeck) 상수는 -25 내지 -50 μV/K인 것을 특징으로 하는,환원된 그래핀 산화물이 인듐 주석 산화물 입계면 상에 위치하는 다결정형 인듐 주석 산화물 복합체를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 분산용매는 물, N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마드, 디메틸 술폭사이드, 클로로포름, 디클로메탄, 에탄올, 메탄올, 헥산, 헵탄, 에틸아세테이트, 카본디설파이드, 벤젠, 톨루엔, 디클로로벤젠, 사염화탄소, 아세톤, 테트라히드로푸란, 아세트산 및 포름산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 용매인 것을 특징으로 하는,환원된 그래핀 산화물이 인듐 주석 산화물 입계면 상에 위치하는 다결정형 인듐 주석 산화물 복합체를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 환원제는 히드라진 또는 히드라진 유도체임을 특징으로 하는환원된 그래핀 산화물이 인듐 주석 산화물 입계면 상에 위치하는 다결정형 인듐 주석 산화물 복합체를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 소결은 방전 플라즈마 소결법임을 특징으로 하는,환원된 그래핀 산화물이 인듐 주석 산화물 입계면 상에 위치하는 다결정형 인듐 주석 산화물 복합체를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 인듐 주석 산화물 나노입자와 상기 그래핀 산화물은 92:8 ~ 99
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청구항 1의 방법에 따라 제조되고, 환원된 그래핀 산화물이 인듐 주석 산화물 입계면 상에 위치하는 다결정형 인듐 주석 산화물 복합체를 포함하는 전기전도체
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