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(a) 고분자 기판 상에 상기 고분자를 용해시키는 용매를 도포해 상기 고분자 기판 표면을 용해시키는 단계;(b) 대기 중의 수분으로부터 상기 고분자 기판 표면에 액적 패턴을 형성시키는 단계;(c) 상기 용매 및 상기 액적을 기화시켜 다공성 패턴이 형성된 고분자 몰드를 형성시키는 단계; 및(d) 하향 변환(down-conversion) 물질을 포함하는 탄성 고분자 용액을 상기 다공성 고분자 몰드에 도포하고 경화시킨 후 박리하는 단계;를 포함하며, 상기 단계 (d)에서 탄성 고분자 용액을 다공성 고분자 몰드에 도포하기 전에, 상기 다공성 고분자 몰드의 표면 중 다공성 패턴이 형성되지 않은 평탄부에 마이크로 또는 나노 렌즈 형성을 위한 입자를 도포하는 것을 특징으로 하는 브레스 피겨 방법을 이용한 광추출 색변환 필름의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 기판은 셀룰로오스계, 스티렌계, 아크릴계, 에폭시계, 아미드계, 에스테르계 및 이미드계 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 브레스 피겨 방법을 이용한 광추출 색변환 필름의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 용매는 탄화수소계, 할로겐화 탄화수소, 알코올류, 알데히드류, 에테르류, 에스테르류, 케톤류, 글리콜유도체 용매로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 브레스 피겨 방법을 이용한 광추출 색변환 필름의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서 상기 용매의 기화에 따른 증발 냉각(evaporative cooling)에 의해 액적 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 브레스 피겨 방법을 이용한 광추출 색변환 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로 또는 나노 렌즈 형성을 위한 입자는, 폴리스티렌, 폴리에틸렌글리콜, 불소계 고분자, 실리콘, 실리카, 실리콘 산화물, 실리콘 나이트라이드, 글래스, 산화 티탄, 불화 마그네슘, 산화 지르코늄, 알루미나, 산화 세륨, 산화하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산 칼슘, 황산바륨, 실리콘 나이트라이드 및 알루미늄 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 브레스 피겨 방법을 이용한 광추출 색변환 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로 또는 나노 렌즈 형성을 위한 입자는 평균 크기가 5 nm ~ 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 브레스 피겨 방법을 이용한 광추출 색변환 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로 또는 나노 렌즈 형성을 위한 입자는 불규칙한 형태와 배열의 모양을 가지고, 상기 입자 모양은 구형, 반구형, 주형, 타원형 또는 캡슐형 인 것을 특징으로 하는 브레스 피겨 방법을 이용한 광추출 색변환 필름의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 하향 변환(down-conversion) 물질은 적색 인광체(phospor) 및 녹색 인광체를 포함하는 것을 특징으로 브레스 피겨 방법을 이용한 광추출 색변환 필름의 제조방법
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제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제9항 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 광추출 색변환 필름
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제10항에 기재된 광추출 색변환 필름을 외부 광추출층 및 색변환층으로 포함하는 유기발광다이오드
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