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실리콘 기판 표면의 잔류 할로겐 제거방법 및 이의 장치

  • 기술번호 : KST2019030231
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 수소 가스 및 불활성 가스가 혼합된 혼합가스를 준비하는 단계(단계 1); 및 상기 혼합가스를 진공 상태의 챔버에 주입하고 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하고, 할로겐화물 처리된 실리콘 기판이 상기 단계 2의 챔버 내부에 구비된, 실리콘 기판 표면의 잔류 할로겐 제거방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01)
출원번호/일자 1020160155638 (2016.11.22)
출원인 한국기술교육대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1858448-0000 (2018.05.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 충남 천안시
2 이동덕 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 김지수 대한민국 전남 광양시
4 김기영 대한민국 충청남도 청양군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 충청남도 천안시 동남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1139858-40
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0745124-18
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-1219845-46
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1219846-92
5 등록결정서
Decision to grant
2018.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0285175-03
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5234295-28
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번호 청구항
1 1
수소 가스 및 불활성 가스가 혼합된 혼합가스를 준비하는 단계(단계 1); 및상기 혼합가스를 진공 상태의 챔버에 주입하고 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하고,표면에 불소 작용기를 포함하는 실리콘 기판이 상기 단계 2의 챔버 내부에 구비되고,상기 단계 1의 수소 가스 및 불활성 가스의 혼합 체적비는 1 : 4000 내지 8000인, 실리콘 기판 표면의 잔류 할로겐 제거방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 단계 2의 혼합가스 주입 전 진공 챔버의 압력은,1×10-2 Torr 내지 1×10-1 Torr인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 표면의 잔류 할로겐 제거방법
4 4
제1항에 있어서,상기 단계 2의 열처리 온도는,200 ℃ 내지 300 ℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 표면의 잔류 할로겐 제거방법
5 5
수소 가스 및 불활성 가스가 혼합된 혼합가스를 준비하는 단계(단계 i); 및상기 혼합가스를 진공 상태의 챔버에 주입하고 열처리하는 단계(단계 ii);를 포함하고,표면에 불소 작용기를 포함하는 실리콘 기판이 상기 단계 ii의 챔버 내부에 구비되며,상기 단계 i의 수소 가스 및 불활성 가스의 혼합 체적비는 1 : 4000 내지 8000이고,상기 열처리 이후 발생되는 불화물 가스를 배기하는 단계(단계 iii)를 더 포함하는, 실리콘 기판 표면의 잔류 할로겐 제거방법
6 6
제5항에 있어서,상기 단계 iii의 배기는,1×10-2 Torr 내지 1×10-1 Torr의 압력으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 표면의 잔류 할로겐 제거방법
7 7
수소 가스 및 불활성 가스가 1 : 4000 내지 8000의 체적비로 혼합되는 혼합부;상기 혼합부로부터 연통되는 챔버;외부로부터 상기 챔버 내부에 표면에 불소 작용기를 포함하는 실리콘 기판을 전달하는 이송유닛;상기 챔버를 개방 및 밀봉하는 개폐부;상기 챔버를 가열하는 히터;상기 챔버와 연통되는 저진공 펌프; 및상기 챔버와 연통되고 불화물 가스를 배출하는 배기 펌프;를 포함하는, 실리콘 기판 표면의 잔류 할로겐 제거장치
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 한국기술교육대학교 산학협력 선도대학(LINC)육성사업 전산모사를 이용한 반도체 표면 미량 할로겐 원소(F, Cl)제거 연구