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금속 및 금속산화물 전극층이 증착된 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 층을 노광시켜 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴에 따라 상기 기판을 에칭하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 박리하기 위한 박리액을 노즐을 통해 상기 기판에 분사하여 상기 포토레지스트 층을 상기 기판으로부터 박리시키는 단계를 포함하고,상기 박리액을 상기 노즐을 통해 분사하는 단계는 전산 유체 역학(Computational Fluid Dynamic)의 VOF(Volume of fluid) 이상 유동 모델에 따른 상기 박리액의 분사 속도, 상기 노즐의 토출구 크기 및 상기 기판과 상기 노즐 사이의 거리에 따라 상기 박리액을 상기 기판에 분사하고, 상기 VOF 이상 유동 모델에 따른 상기 분사 속도는 이상 유동에서 밀도가 낮고 초기 공간을 채우고 있는 기상이 기본적인 상 (primary phase)이 되고 액상이 부차적인 상(secondary phase)이 되며, 액상의 체적율(volume fraction) 및 기상의 체적율을 기초로 하여 산출되고,상기 박리액을 40℃ 이상 50℃ 이하의 온도 범위 및 30sec 이상 60sec이하의 시간 범위 내에서 상기 기판에 분사하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 토출구 크기는 1
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청구항 1에 있어서, 상기 기판과 상기 노즐 사이의 거리는 45 mm 이상 60 mm 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 박리액을 상기 노즐을 통해 분사하는 단계는,상기 박리액의 분사 속도, 상기 노즐의 토출구 크기 및 상기 기판과 상기 노즐 사이의 거리를 조정하여 상기 박리액의 유량율이 1
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청구항 1에 있어서, 상기 박리액을 상기 노즐을 통해 분사하는 단계는,상기 노즐은 상기 기판과 45도 이상 90도 이하의 토출각 범위 내에서 상기 박리액을 상기 기판에 분사하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법
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