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캐리어(10)의 표면에 접착제(Adhesive)를 도포하여 접착층(20)을 형성한 후, 상기 접착층(20) 상부로 실리콘 칩(chip)(30)을 배치하는 제1공정(S10)과,상기 캐리어(10)와 실리콘 칩(30)을 액상형 EMC(Epoxy mold compound)(40)로 몰딩(molding)하는 제2공정(S20)과,상기 액상형 EMC(Epoxy mold compound)(40) 상부로 금속박막(50)을 증착하고 어닐링하여 금속의 잔류응력을 인위적으로 발생시켜 웨이퍼(wafer)의 휨을 방지하고, 동시에 상기 실리콘 칩(30)에서 발생하는 전자파(EMI, Electro Magnetic Interference)를 차폐할 수 있도록 하는 제3공정(S30)과,상기 접착층(20)을 열원 또는 화학용액으로 제거하여 상기 캐리어(10)를 떼어내는 제4공정(S40)과,상기 실리콘 칩(30)이 형성된 면에 재배선층(RDL)(60)을 부착하는 제5공정(S50)과,상기 재배선층(RDL)(60)이 부착된 면에 솔더볼(70)을 부착하는 제6공정(S60)을 포함하여 이루어지는 팬-아웃 웨이퍼 레벨 패키지(fan-out wafer level package, FOWLP) 공정임을 특징으로 하는 휨저감 및 EMI 차폐기능을 동시에 갖는 팬-아웃 패키지 공정
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캐리어(10)의 표면에 접착제(Adhesive)를 도포하여 접착층(20)을 형성한 후, 상기 접착층(20) 상부로 실리콘 칩(chip)(30)을 배치하는 제1공정(S10)과,상기 캐리어(10)와 실리콘 칩(30)을 액상형 EMC(Epoxy mold compound)(40)로 몰딩(molding)하는 제2공정(S20)과,상기 액상형 EMC(Epoxy mold compound)(40) 상부로 금속박막(50)을 증착하고 어닐링하여 금속의 잔류응력을 인위적으로 발생시켜 웨이퍼(wafer)의 휨을 방지하고, 동시에 상기 실리콘 칩(30)에서 발생하는 전자파(EMI, Electro Magnetic Interference)를 차폐할 수 있도록 하는 제3공정(S30)과,상기 접착층(20)을 열원 또는 화학용액으로 제거하여 상기 캐리어(10)를 떼어내는 제4공정(S40)과,상기 실리콘 칩(30)이 형성된 면에 재배선층(RDL)(60)을 부착하는 제5공정(S50)과,상기 재배선층(RDL)(60)이 부착된 면에 솔더볼(70)을 부착하는 제6공정(S60)을 포함하여 이루어지는 팬아웃-패널 레벨 패키지(fan-out panel wafer level package, FO-PLP) 공정임을 특징으로 하는 휨저감 및 EMI 차폐기능을 동시에 갖는 팬-아웃 패키지 공정
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,금속박막(50)은 Cu, Ni, Al, Ag, Au 또는 Cr 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 금속으로 증착, 도금 또는 코팅처리 하여 형성되는 것임을 특징으로 하는 휨저감 및 EMI 차폐기능을 동시에 갖는 팬-아웃 패키지 공정
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,금속박막(50)은 스퍼터링(Sputtering) 증착에 의해 형성되는 것으로서,상기 스퍼터링(Sputtering) 증착은 스퍼터링(Sputtering) 장비의 챔버 내부 공기를 배기하여 초기 진공을 형성한 후, 반응 가스로 아르곤(Ar)을 30 ~ 50 sccm 투입하여 작업 진공도를 조절한 다음, Cu, Ni, Al, Ag, Au 또는 Cr 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 금속을 금속 타겟으로 하여, 마이크로웨이브 파워(Microwave power) 40 ~ 60 W로 증착하는 것임을 특징으로 하는 휨저감 및 EMI 차폐기능을 동시에 갖는 팬-아웃 패키지 공정
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,금속박막(50)은 도금에 의해 형성되는 것으로서,상기 도금은 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 크롬(Cr) 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 금속염 5 ~ 10 wt%와,수소화붕소화합물, 아민보란류, 차아인산류, 알데히드류, 아스코르빈산류, 히드라진, 다가페놀, 다가 나프톨, 페놀설폰산, 나프톨설폰산, 설핀산, 에틸렌글리콜, TEG(tetraethylene glycol), 에탄올, 아스코르브산, 수소화붕소나트륨, EDOT(3,4-ethylenedioxythiophene), D-글루코스, 구연산나트륨, 글리세롤, 포름알데히드 및 글리옥실산 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 환원제 10 ~ 30 wt%와,에틸렌 디아민 테트라 아세트산(EDTA), 구연산 또는 구연산나트륨 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 착화제 10 ~ 30 wt%와,염화니켈 6수화물, 팔라듐(Ⅱ), 클로라이드(PdCl2) 또는 디메틸 아민 보란(DMAB) 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 촉매 10 ~ 30 wt%와,폴리에틸렌 글리콜(PEG), 아민염, 4차 암모늄염, 술포늄염 또는 포스포늄염 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 계면활성제 10 ~ 30 wt%와,수산화나트륨, 수산화칼륨, 황산 또는 염산 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상의 pH 조정제 30 ~ 50 wt%의 혼합으로 조성된 40 ~ 90 ℃, pH 6 ~ 11의 도금욕에 침지시킴으로써 이루어지는 것임을 특징으로 하는 휨저감 및 EMI 차폐기능을 동시에 갖는 팬-아웃 패키지 공정
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,금속박막(50)은 콜드 스프레이(Cold spray) 코팅에 의해 형성되는 것으로서,상기 콜드 스프레이(Cold spray) 코팅은 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 크롬(Cr) 중 선택되는 어느 1종 또는 2종 이상인 5 ~ 50 ㎛의 금속 분말을 420 ~ 450 ℃로 예열하고,가스 온도 270 ~ 290 ℃, 가스압력 7 ~ 10 kgf/㎠, 분말 송급량 2
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,어닐링은 200 ~ 300 ℃의 온도 범위 내에서 이루어지는 것임을 특징으로 하는 휨저감 및 EMI 차폐기능을 동시에 갖는 팬-아웃 패키지 공정
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