| 1 |
1
3차원 반도체 소자의 측벽에서의 라인 에지 러프니스(Line Edge Roughness; LER)에 대한 분석 방법에 있어서,랜덤 러프 서피스(Random Rough Surface)로부터 2차원 자기 상관 함수(2D Auto correlation Function, 2A ACF)에 이용되는 LER 파라미터를 추출하는 단계;상기 LER 파라미터에 기초하여 상기 2차원 자기 상관 함수를 계산하는 단계; 및상기 2차원 자기 상관 함수를 푸리에 합성법(Fourier Synthesis Method)에 적용하여 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스(3D Line Edge Roughness Sequence)를 추출하는 단계를 포함하는 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 2차원 자기 상관 함수는 이변수 가우시안 분포(Bivariate Gaussian Distribution) 및 로테이션 매트릭스(rotation matrix)에 기초하여 도출된 함수인 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 푸리에 합성법은,상기 2차원 자기 상관 함수의 푸리에 변환(Fourier Transformation)을 수행하여 2차원 파워 스펙트럼(2D Power Spectrum)을 계산하는 단계;상기 2차원 파워 스펙트럼의 제곱근을 계산하여 상기 2차원 파워 스펙트럼의 진폭 스펙트럼(2D Amplitude Spectrum)을 계산하는 단계;상기 진폭 스펙트럼의 역푸리에 변환(Inverse Fourier Transformation)을 수행하여 2차원 임펄스 응답(2D Impulse Response)을 계산하는 단계;상기 2차원 임펄스 응답과 노이즈 시퀀스(Noise Sequence)간의 콘벌루션을 수행하여 상기 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스(3D Line Edge Roughness Sequence)를 추출하는 단계를 포함하는 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 랜덤 러프 서피스는 상기 3차원 반도체 소자의 랜덤 러프 서피스인 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 3차원 반도체 소자는 FinFET 소자, GAA FET 소자 및 나노와이어(Nanowire) 소자 중 하나인 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 6 |
6
제 3 항에 있어서,상기 노이즈 시퀀스는 백색 가우시안 노이즈(White Gaussian Noise)가 선형 변형된 제 1 노이즈 시퀀스 및 제 2 노이즈 시퀀스를 포함하는 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 랜덤 러프 서피스는 상기 3차원 반도체 소자의 좌측벽에 대한 랜덤 러프 서피스 및 우측벽에 대한 랜덤 러프 서피스를 포함하고,상기 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스는 상기 좌측벽에 대한 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스 및 우측벽에 대한 라인 에지 러프니스 시퀀스를 포함하는 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 2차원 임펄스 응답과 노이즈 시퀀스 간의 콘벌루션을 수행하여 상기 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스를 추출하는 단계는상기 좌측벽에 대한 랜덤 러프 서피스에 해당하는 2차원 임펄스 응답과 상기 제 1 노이즈 시퀀스 간의 콘벌루션을 수행하여 상기 좌측벽에 대한 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스를 추출하는 단계; 및상기 우측벽에 대한 랜덤 러프 서피스에 해당하는 2차원 임펄스 응답과 상기 제 2 노이즈 시퀀스 간의 콘벌루션을 수행하여 상기 우측벽에 대한 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스를 추출하는 단계를 포함하는 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 좌측벽에 대한 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스 및 상기 우측벽에 대한 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스를 시뮬레이터에 입력하여 상기 3차원 반도체 소자의 측벽에서의 라인 에지 러프니스를 분석하는 단계를 더 포함하는 것인, 라인 에지 러프니스 분석 방법
|
| 10 |
10
3차원 반도체 소자의 측벽에서의 라인 에지 러프니스(Line Edge Roughness; LER)에 대한 분석 장치에 있어서,랜덤 러프 서피스(Random Rough Surface)로부터 2차원 자기 상관 함수(2D Auto correlation Function, 2A ACF)에 이용되는 LER 파라미터를 추출하는 파라미터 추출부; 상기 LER 파라미터에 기초하여 상기 2차원 자기 상관 함수를 계산하고, 상기 2차원 자기 상관 함수를 푸리에 합성법(Fourier Synthesis Method)에 적용하여 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스(3D Line Edge Roughness Sequence)를 추출하는 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스 추출부를 포함하는 것인, 라인 에지 러프니스 분석 장치
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 2차원 자기 상관 함수는 이변수 가우시안 분포(Bivariate Gaussian Distribution) 및 로테이션 매트릭스(rotation matrix)에 기초하여 도출된 함수인 것인, 라인 에지 러프니스 분석 장치
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 랜덤 러프 서피스는 상기 3차원 반도체 소자의 랜덤 러프 서피스인 것인, 라인 에지 러프니스 분석 장치
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 3차원 반도체 소자는 FinFET 소자, GAA FET 소자 및 나노와이어(Nanowire) 소자 중 하나인 것인, 라인 에지 러프니스 분석 장치
|
| 14 |
14
제 10 항에 있어서,상기 랜덤 러프 서피스는 상기 3차원 반도체 소자의 좌측벽에 대한 랜덤 러프 서피스 및 우측벽에 대한 랜덤 러프 서피스를 포함하고,상기 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스는 상기 좌측벽에 대한 3차원 라인 에지 러프니스 시퀀스 및 우측벽에 대한 라인 에지 러프니스 시퀀스를 포함하는 것인, 라인 에지 러프니스 분석 장치
|
