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네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자 및 제조 방법

기술번호 : KST2019030547
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자는 기판 상에 형성된 게이트 스택, 드레인 전극, 소스 전극을 포함하는 핀펫 소자 및 핀펫 소자의 게이트 스택에 연결되며, 네거티브 캐패시턴스를 가지는 강유전체 네거티브 캐패시터를 포함할 수 있다. 핀펫 소자는 게이트 스택의 측벽으로부터 드레인 전극 또는 소스 전극까지의 확장 길이(Lext)를 가지며, 확장 길이는 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 히스테리시스 윈도우(Hysteresis Window)의 크기가 1 V 이하가 되도록 설정될 수 있다.
Int. CL	H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01)
출원번호/일자	1020160183791 (2016.12.30)
출원인	서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1859587-0000 (2018.05.14)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20180518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.12.30)
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서울시립대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 동대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	신창환	대한민국	서울특별시 성북구
2	고은아	대한민국	서울특별시 노원구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자 주식회사		경기도 수원시 영통구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2016-1296671-03
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.17	수리 (Accepted)	4-1-2017-5009116-18
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2017.05.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.07.11	수리 (Accepted)	9-1-2017-0022545-19
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.12.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0876446-32
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2018.01.31	수리 (Accepted)	1-1-2018-0112501-36
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.01.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0112525-21
8	등록결정서 Decision to grant	2018.05.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0317951-12
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.09.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5191631-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 네거티브 캐패시턴스 핀펫(FinFET) 소자에 있어서,기판 상에 형성된 게이트 스택, 드레인 전극, 소스 전극을 포함하는 핀펫 소자; 및상기 핀펫 소자의 게이트 스택에 연결되며, 네거티브 캐패시턴스를 가지는 강유전체 네거티브 캐패시터를 포함하고,상기 핀펫 소자는 상기 게이트 스택의 측벽으로부터 상기 드레인 전극 또는 상기 소스 전극까지의 확장 길이(Lext)를 가지며,상기 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 히스테리시스 윈도우(Hysteresis Window)의 크기가 0
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 제 1 항에 있어서,상기 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 히스테리시스 윈도우(Hysteresis Window)의 크기는 0
5	5 제 1 항에 있어서,상기 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 서브스레숄드 슬로프(subthreshold slope; SS)는 상온에서 5 mV/decade 내지 60 mV/decade 인 것인, 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자
6	6 제 1 항에 있어서,상기 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 서브스레숄드 슬로프(subthreshold slope; SS)는 상온에서 5 mV/decade 내지 20 mV/decade 인 것인, 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자
7	7 제 1 항에 있어서,상기 강유전체 네거티브 캐패시터는,기판;상기 기판 상에 형성되는 제 1 전극층;상기 제 1 전극층 상에 형성되는 강유전체층; 및상기 강유전체층 상에 형성되는 제 2 전극층을 포함하는 것인, 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자
8	8 제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은 란타늄 스트론튬 망가나이트(La0
9	9 제 7 항에 있어서,상기 강유전체층은 PVDF [poly(vinylidenefluoride)], P(VDF-TrFE) [poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)], PZT (lead zirconate titanate), BTO (barium titanate), BLT (bismuth lanthanum titanate), SBT (strontium bismuth tantalate), SLT (near-stoichiometric lithium tantalate), 실리콘 도핑된 산화하프늄(Si-doped HfO2) 산화하프늄지르코늄(HfZrO2) 및 PbZrTiO3 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자
10	10 네거티브 캐패시턴스 핀펫(FinFET) 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 게이트 스택, 드레인 전극, 소스 전극을 포함하는 핀펫 소자를 형성하는 단계;네거티브 캐패시턴스를 가지는 강유전체 네거티브 캐패시터를 형성하는 단계; 및상기 강유전체 네거티브 캐패시터를 상기 핀펫 소자의 게이트 스택에 연결하는 단계를 포함하고,상기 핀펫 소자는 상기 게이트 스택의 측벽으로부터 상기 소스 전극 또는 상기 드레이 전극까지의 확장 길이(Lext)를 가지며,상기 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 히스테리시스 윈도우(Hysteresis Window)의 크기가 0
11	11 삭제
12	12 삭제
13	13 제 10 항에 있어서,상기 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 히스테리시스 윈도우(Hysteresis Window)의 크기는 0
14	14 제 10 항에 있어서,상기 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 서브스레숄드 슬로프(subthreshold slope; SS)는 상온에서 5 mV/decade 내지 60 mV/decade 인 것인, 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 제조 방법
15	15 제 10 항에 있어서,상기 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 서브스레숄드 슬로프(subthreshold slope; SS)는 상온에서 5 mV/decade 내지 20 mV/decade 인 것인, 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 제조 방법
16	16 제 10 항에 있어서,상기 강유전체 네거티브 캐패시터를 형성하는 단계는기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 상에 강유전체층을 형성하는 단계; 및상기 강유전체층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것인, 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 제조 방법
17	17 제 16 항에 있어서,상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층은 란타늄 스트론튬 망가나이트(La0
18	18 제 16 항에 있어서,상기 강유전체층은 PVDF [poly(vinylidenefluoride)], P(VDF-TrFE) [poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)], PZT (lead zirconate titanate), BTO (barium titanate), BLT (bismuth lanthanum titanate), SBT (strontium bismuth tantalate), SLT (near-stoichiometric lithium tantalate), 실리콘 도핑된 산화하프늄(Si-doped HfO2), 산화하프늄지르코늄(HfZrO2) 및 PbZrTiO3 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자의 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US09831239	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US9831239	US	미국	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	서울시립대학교산학협력단	산업핵심기술개발사업 (미래반도체소자사업 4기)	신물질 및 신구조를 이용한 슈퍼 스팁 스위칭 소자 기술 연구
2	미래창조과학부	서울시립대학교산학협력단	기초연구사업 개인연구지원사업(중견연구)	위상학적 절연체 및 강유전체를 이용한 10nm 이하급 CMOS Extension 기술 연구

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호	10-1859587-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20161230 출원 번호 : 1020160183791 공고 연월일 : 20180518 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20180510 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자 및 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구...
2	(의무자) 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구...
2	(권리자) 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	295,500 원	2018년 05월 15일	납입

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해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2016-1296671-03
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.17	수리 (Accepted)	4-1-2017-5009116-18
3	선행기술조사의뢰서	2017.05.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2017.07.11	수리 (Accepted)	9-1-2017-0022545-19
5	의견제출통지서	2017.12.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0876446-32
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2018.01.31	수리 (Accepted)	1-1-2018-0112501-36
7	[명세서등 보정]보정서	2018.01.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0112525-21
8	등록결정서	2018.05.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0317951-12
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.09.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5191631-69


과제고유번호	1711043109
세부과제번호	2014R1A2A1A11050637
연구과제명	위상학적 절연체 및 강유전체를 이용한 10nm 이하급 CMOS Extension 기술 연구
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201611~201710
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1711044450
세부과제번호	10067746
연구과제명	신물질 및 신구조를 이용한 슈퍼 스팁 스위칭 소자 기술 연구
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201610~201612
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020160183791]	네거티브 캐패시턴스 핀펫 소자 및 제조 방법	새창보기
[1020160011253]	수직 구조 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기

중요키워드

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