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양극 및 음극을 포함하는 양 전극, 상기 양 전극 사이에 개재된 전해액 및상기 양 전극 중 적어도 어느 한 전극의 표면에 형성된 고분자 막을 포함하고,상기 전해액은 중합성 모노머를 포함하고,상기 고분자 막은 상기 중합성 모노머가 중합한 고분자를 포함하는 커패시터
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제1항에 있어서,상기 중합성 모노머는 하기 화학식 1로 표시되는 에틸렌계 모노머 또는 헤테로환을 포함하는 헤테로환계 모노머를 포함하는 커패시터
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제2항에 있어서,상기 헤테로환은 고리형 탄화수소에서 1개 이상의 탄소가 헤테로 원자로 치환된 것이고, 상기 헤테로 원자는 S, O, N 및 P 중 1종 이상인 커패시터
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제2항에 있어서,상기 헤테로환은 비치환 또는 알킬기, 아민기, 에스터기 또는 아미드기로 치환된 커패시터
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제1항에 있어서,상기 전해액은 상기 전해액 100 중량%에 대하여, 상기 중합성 모노머를 0
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제1항에 있어서,상기 중합성 모노머는 분자량이 150 이하인 커패시터
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제1항에 있어서,상기 전해액은 전해질염을 더 포함하는 커패시터
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제1항에 있어서,상기 고분자 막의 두께는 0
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중합성 모노머를 포함하는 전해액을 양극 및 음극을 포함하는 양 전극 사이에 개재하는 단계 및 상기 양 전극 중 적어도 어느 한 전극의 표면에 고분자 막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 고분자 막은 상기 중합성 모노머가 중합한 고분자를 포함하는 커패시터의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 전해액을 양 전극 사이에 개재하는 단계에서,상기 전해액 100 중량% 내에 상기 중합성 모노머를 0
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제10항에 있어서,상기 고분자 막을 형성하는 단계에서, 상기 양 전극에 전압을 인가하는 커패시터의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 고분자 막을 형성하는 단계에서, 상기 양 전극에 5
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