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포토레지스트 보호막을 활용한 실리콘 스트레인 게이지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019030581
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a) SOI 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 기판의 실리콘층을 붕소(B)로 도핑하는 단계; (c) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층을 어닐링하는 단계; (d) 상기 실리콘층 상에 전극용 금속층을 형성하는 단계; (e) 상기 전극용 금속층을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계; (f) 건식 식각을 통해 실리콘 게이지 패턴을 형성하는 단계; (g) 상기 전극 및 실리콘 게이지 패턴 상에 감광제를 이용해 보호층을 형성하는 단계; (h) BOE 용액 용액 및 첨가제를 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각을 통해 상기 산화 실리콘층을 제거해 상기 지지 기판으로부터 실리콘 스트레인 게이지를 분리하는 단계; 그리고 (i) 상기 분리된 실리콘 스트레인 게이지를 글래스 프릿을 이용하여 다이어프램에 접착하는 단계를 포함하는 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에 따르면, 스트레인 게이지를 분리/제조함에 있어서, BOE 용액에 첨가제가 포함된 식각 용액을 이용한 습식 식각법을 사용함으로써, 기존 기술에 비해 보다 얇은 초박형(20 ㎛ 이하)의 실리콘 스트레인 게이지를 경제적이고 안정적으로 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01.01) H01L 21/762 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) G03F 7/26 (2006.01.01)
CPC H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01)
출원번호/일자 1020180015273 (2018.02.07)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2005178-0000 (2019.07.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정식 서울시 동대문구
2 최준환 서울시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0136988-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.13 수리 (Accepted) 9-1-2018-0069470-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0209699-89
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0520337-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0520336-47
7 등록결정서
Decision to grant
2019.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0526354-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 지지 기판, 산화 실리콘(SiO2)층 및 실리콘(Si)층이 순서대로 적층된 구조를 가지는 SOI(silicon on insulator) 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 SOI 기판의 실리콘층을 붕소(B)로 도핑하는 단계;(c) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층을 어닐링(annealing)하는 단계;(d) 상기 붕소를 도핑한 실리콘층 상에 전극용 금속층을 형성하는 단계;(e) 상기 전극용 금속층을 패터닝하여 전극을 형성하는 단계;(f) 건식 식각(dry etching)을 통해 실리콘 게이지 패턴을 형성하는 단계;(g) 상기 전극 및 실리콘 게이지 패턴 상에 감광제(photoresist, PR)를 이용해 보호층을 형성하는 단계; (h) BOE 용액(Buffered Oxide Etchant) 용액 및 첨가제를 포함하는 식각 용액을 이용하는 습식 식각(wet etching)을 통해 상기 산화 실리콘층을 제거해 상기 지지 기판으로부터 실리콘 스트레인 게이지를 분리하는 단계; 그리고 (i) 상기 분리된 실리콘 스트레인 게이지를 글래스 프릿(glass frit)을 이용하여 다이어프램(diaphragm)에 접착하는 단계를 포함하며,상기 글래스 프릿은 고형분 100 중량%에 대하여 Bi2O3 75 중량% 내지 80 중량%, ZnO 7 중량% 내지 11 중량%, B2O3 10 중량% 내지 12 중량%, SiO2 1 중량% 내지 3 중량%, 그리고 Na2O, PbO, Al2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 2 중량% 내지 4 중량%를 포함하는 것인 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 첨가제는 옥틸아민(Octylamine) 및 옥틸알코올(Octylalcohol)을 포함하는 것인 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 옥틸아민과 옥틸알코올의 중량비는 3 : 1 내지 1 : 1인 것인 실리콘 스트레인 게이지의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 실리콘 스트레인 게이지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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