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상부에 실리콘 산화막을 구비한 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 실리콘 산화막 상에 금(Au)을 함유한 패턴층을 형성하는 단계; 및상기 패턴층이 형성된 상기 기판 상에 몰리브데넘(Molybdenum)과 셀레늄(Selenium)을 증착하여 주름 구조를 가지는 몰리브데넘 디셀레나이드(MoSe2) 박막을 성장시키는 단계를 포함하며,상기 몰리브데넘 디셀레나이드 박막은 휘어진(buckled) 구조 혹은 주름(winkled) 구조를 구비하고,상기 패턴층은 금(Au)을 포함하고, 상기 몰리브데넘 디셀레나이드 박막 내 주름의 시작점 또는 끝점이 상기 패턴층의 가장자리 라인과 직교하거나 경사진 방향에서 접하는 형태를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체성 물질을 이용한 주름 패턴 구조의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 성장시키는 단계는, 물리적 증착(physical vapor deposition, PVD) 공정을 통해 온도 분위기 200℃ 이상 내지 300℃ 미만에서 몰리브데넘과 셀레늄을 동시 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체성 물질을 이용한 주름 패턴 구조의 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 성장시키는 단계에서 증착 속도는, 몰리브데넘이 0
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상부에 실리콘 산화막을 구비하는 기판;상기 기판 상의 몰리브데넘 디셀레나이드 박막; 및상기 기판 상에 배치된 패턴층을 포함하며,상기 몰리브데넘 디셀레나이드 박막은 휘어진(buckled) 구조 혹은 주름(winkled) 구조를 구비하고,상기 패턴층은 금(Au)을 포함하고, 상기 몰리브데넘 디셀레나이드 박막 내 주름의 시작점 또는 끝점이 상기 패턴층의 가장자리 라인과 직교하거나 경사진 방향에서 접하는 형태를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체성 물질을 이용한 주름 패턴 구조
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제6 항에 있어서,상기 주름 구조는 상기 패턴층의 모양에 따라 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체성 물질을 이용한 주름 패턴 구조
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제6 항에 있어서,상기 패턴층은 상기 실리콘 산화막을 노출시키는 하나 이상의 윈도우를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체성 물질을 이용한 주름 패턴 구조
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