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질화물 기판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019030644
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 기판의 일면을 연마하는 단계와, 질화물 기판의 일면을 웨트 에칭하는 습식 공정 단계와, 질화물 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 질화물 기판 제조 방법을 제시한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020150164239 (2015.11.23)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1767128-0000 (2017.08.04)
공개번호/일자 10-2016-0063256 (2016.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20170811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140166244   |   2014.11.26
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황종희 대한민국 서울특별시 마포구
2 이미재 대한민국 서울특별시 양천구
3 임태영 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 김진호 대한민국 서울특별시 구로구
5 김진원 대한민국 강원도 삼척시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)
2 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1142200-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0150264-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0814600-02
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1268428-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1268427-78
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0359913-15
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.06.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0599061-46
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0599060-01
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0472404-61
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물 기판의 일면을 1차 연마 및 2차 연마하는 단계;상기 질화물 기판의 일면을 웨트 에칭하는 단계; 및상기 질화물 기판을 열처리하는 단계를 포함하고,상기 웨트 에칭 이전에 상기 질화물 기판의 일면과 대향되는 타면에 에칭 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 질화물 기판의 휘어짐의 절대치는 초기에 100㎛ 내지 350㎛이고, 1차 연마 후 120㎛ 내지 430㎛이며, 2차 연마 후에는 1차 연마 후보다 10㎛ 내지 20㎛ 감소되며, 웨트 에칭 후 30㎛ 내지 50㎛이고, 열처리 후 10㎛ 내지 30㎛인 질화물 기판 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 질화물 기판의 일면은 상기 질화물 기판이 이종 기판에 접촉되어 성장되는 성장면인 질화물 기판 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 1차 연마는 기계적 연마이고, 상기 2차 연마는 화학적 기계적 연마인 질화물 기판 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 기계적 연마 후 상기 질화물 기판의 일면에 가공 변형층이 형성되는 질화물 기판 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 화학적 기계적 연마 후 상기 가공 변형층의 두께가 감소되는 질화물 기판 제조 방법
6 6
삭제
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 웨트 에칭 후 상기 가공 변형층이 제거되는 질화물 기판 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 열처리는 상기 성장면과 대향되는 표면이 분해되지 않는 온도 범위에서 실시하는 질화물 기판 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 열처리는 700℃ 내지 950℃의 온도에서 실시하는 질화물 기판 제조 방법
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 핵심소재원천기술개발사업 6인치, 곡률반경 10m, 전위밀도 105·cm-2의 HVPE Bulk GaN단결정 및 기판 기술