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탄소재를 비활성 분위기에서 탄화 처리하는 단계; 내부면이 SiC로 코팅된 금속 재질의 활성화 반응기를 준비하는 단계;탄화 처리된 탄소재와 알칼리를 상기 활성화 반응기의 내부에 장입하고 비활성 분위기에서 활성화 처리하는 단계; 및활성화 처리된 탄소재를 산(acid)으로 중화 처리하고 세정하는 단계를 포함하며,상기 활성화 처리하는 단계는, 상기 탄화 처리된 탄소재와 상기 알칼리를 상기 활성화 반응기 내에 장입하는 단계; 상기 활성화 반응기의 유입구를 통해 비활성 기체를 주입하는 단계; 상기 활성화 반응기 내의 온도를 600∼950℃의 활성화 온도까지 승온하여 활성화 처리를 수행하는 단계; 및상기 활성화 반응기를 냉각하여 활성화 처리된 탄소재를 수득하는 단계를 포함하며,상기 활성화 반응기의 유입구를 통해 주입된 비활성 기체는 배출구를 통해 배출되게 하고, 상기 배출구는 에탄올이 담긴 배출조에 연결되게 하며, 상기 비활성 기체가 상기 배출조에 담긴 에탄올로 배출되게 하여 외부 공기 중으로 직접적으로 배출되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 활성화 반응기를 냉각하여 활성화 처리된 탄소재를 수득하는 단계는,상기 활성화 반응기를 냉각하다가 에탄올의 끓는점보다 높은 80∼150℃의 온도에서 상기 활성화 반응기 내부로 에탄올을 주입하여 에탄올 증기로 활성화 처리된 탄소재를 샤워시켜 주는 단계를 포함하며,상기 에탄올 증기는 상기 배출구을 통해 액체가 담긴 상기 배출조로 배출되게 하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 내부면이 SiC로 코팅된 금속 재질의 활성화 반응기를 준비하는 단계는,상기 활성화 반응기의 내부면이 될 금속 재질 판에 SiC를 코팅하는 단계;상기 SiC가 코팅된 금속 재질 판을 원하는 형태의 활성화 반응기로 성형하는 단계; 및성형된 상기 활성화 반응기에 비활성 기체가 유입되는 유입구와 상기 비활성 기체가 배출되는 배출구를 설치하는 단계를 포함하며,상기 SiC로 코팅된 부분이 활성화 반응기의 내부면을 이루도록 성형하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 SiC는 화학기상증착(CVD) 방법으로 10∼200㎛의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄화 처리된 탄소재와 상기 알칼리를 1:1∼1:8의 중량비로 상기 활성화 반응기에 장입하고,상기 알칼리는 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화나트륨(NaOH)을 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소재를 비활성 분위기에서 탄화 처리하는 단계는,C, H 및 O를 구성성분으로 포함하는 탄소재를 400∼900℃의 온도에서 비활성 분위기에서 탄화 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소재를 비활성 분위기에서 탄화 처리하는 단계에서, 상기 탄소재는 피치(Pitch), 코크스(Cokes), 야자곽, 클로렐라, 밀대, 옥수수대 및 톱밥 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속은 니켈(Ni) 또는 스테인레스 스틸(Stainless steel)을 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄화 처리된 탄소재는 질소(N)를 포함하는 이종원소가 함유되어 있는 탄소재인 것을 특징으로 하는 울트라커패시터 전극활물질의 제조방법
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