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스퍼터링 공정을 이용하여, 기판 상에 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하는 단계; 및 상기 스퍼터링 공정 중에, 증착되는 상기 전이금속 칼코겐화합물에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되고, 상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되고, 상기 전이금속 칼코겐화합물은 10nm 미만의 이하의 두께로 증착되며,상기 전자빔 조사는 DC 파워 50~3000V를 포함하는 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전자빔 조사에 이용되는 소스에 칼코겐 원소가 포함되거나, 스퍼터링 공정이 수행되는 챔버에 칼코겐 원소를 가스 혹은 증기로 포함시키거나, 상기 스퍼터링 공정에 이용되는 전이금속 칼코겐화합물 타겟의 칼코겐 원소의 원자비가 전이금속 칼코겐화합물의 화학양론적 비율보다 높은 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막 제조 방법
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스퍼터링 공정을 이용하여, 기판 상에 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하는 단계; 및 상기 스퍼터링 공정 후에, 증착된 전이금속 칼코겐화합물에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되고, 상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되고, 상기 전이금속 칼코겐화합물은 10nm 미만의 이하의 두께로 증착되며,상기 전자빔 조사는 DC 파워 50~3000V를 포함하는 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막 제조 방법
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제1항 내지 제3항 중 한 항에 있어서,상기 스퍼터링 공정에 의해 비정질 전이금속 칼코겐화합물이 증착되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막 제조 방법
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제1항 내지 제3항 중 한 항에 있어서,상기 스퍼터링 공정 및 전자빔 조사는 300℃ 이하의 기판 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 RF 파워 5~40W, 공정 압력 1mTorr 이하에서 수행되고,상기 전자빔 조사는 RF 파워 50~300W, DC 파워 50~3000V에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 RF 파워 5~20W, 공정 압력 20mTorr 이하에서 수행되고,상기 전자빔 조사는 RF 파워 50~300W, DC 파워 50~3000V, 조사 시간 0
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