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CsPbX3 (이때, X는 Cl, Br 또는 I이다) 조성의 페로브스카이트 반도체 나노입자와, 상기 페로브스카이트 반도체 나노입자의 표면을 에워싼 HLB(Hyrdophile-Lipophile Balance)가 5~10 범위인 제1 양쪽성 고분자층과, 상기 제1 양쪽성 고분자층의 표면을 에워싼 HLB가 8~15 범위인 제2 양쪽성 고분자층을 포함하되, 상기 제2 양쪽성 고분자층은 상기 제1 양쪽성 고분자층보다 상대적으로 더 높은 친수성을 가지며,상기 제1 양쪽성 고분자층 및 제2 양쪽성 고분자층은 디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 디에틸아미노-2-하이드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 디메틸아미노프로필 (메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸 (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴산, 크로톤산, 이타콘산 및 말레인산, (메타)아크릴아미드, 디메틸 (메타)아크릴아미드, 디에틸 (메타)아크릴아미드, 하이드록실에틸 (메타)아크릴레이트, 에틸렌 옥사이드 부가 메톡시 (메타)아크릴레이트, 에틸렌 옥사이드 부가 (메타)알릴 에테르, 메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 에틸카르비톨 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트 및 비닐 아세테이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 친수성 단량체를 각각 포함하는 페로브스카이트 반도체 나노캡슐
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CsPbX3 (이때, X는 Cl, Br 또는 I이다) 조성의 페로브스카이트 반도체 나노입자를 유기용매 내에서 HLB가 5~10 범위인 제1 양쪽성 고분자와 교반함으로써 상기 페로브스카이트 반도체 나노입자의 표면을 코팅하여 제1 반도체 나노캡슐을 형성하는 단계와;상기 유기용매를 진공 하에서 또는 열처리하여 증발시키는 단계와;상기 제1 반도체 나노캡슐에 HLB가 8~15 범위인 제2 양쪽성 고분자가 용해된 수용액을 첨가하여 교반함으로써 상기 제1 반도체 나노캡슐의 표면을 코팅하여 제2 반도체 나노캡슐을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 양쪽성 고분자층은 상기 제1 양쪽성 고분자층보다 상대적으로 더 높은 친수성을 갖도록 선택되며, 상기 제1 양쪽성 고분자층 및 제2 양쪽성 고분자층은 디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 디에틸아미노-2-하이드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 디메틸아미노프로필 (메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸 (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴산, 크로톤산, 이타콘산 및 말레인산, (메타)아크릴아미드, 디메틸 (메타)아크릴아미드, 디에틸 (메타)아크릴아미드, 하이드록실에틸 (메타)아크릴레이트, 에틸렌 옥사이드 부가 메톡시 (메타)아크릴레이트, 에틸렌 옥사이드 부가 (메타)알릴 에테르, 메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 에틸카르비톨 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트 및 비닐 아세테이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 친수성 단량체를 각각 포함하도록 선택되는 페로브스카이트 반도체 나노캡슐의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 유기용매는 상기 수용액보다 낮은 극성을 갖는 페로브스카이트 반도체 나노캡슐의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 유기용매는 에틸아세테이트, 아세트산, 아세톤, 아세토니트릴, 아세틸 아세톤, 아미노에탄올, 아닐린, 아니솔, 벤조니트릴, 벤질 알콜, 부탄올, 부탄온, 부틸 알콜, 클로로벤젠, 클로로포름, 시클로헥산올, 시클로헥산온, 부틸프탈레이트, 디클로로에탄, 디에틸아민, 디에틸렌 글리콜, 디글라임, 디메톡시에탄, 디메틸아닐린, 디메틸포름아미드, 디메틸프탈레이트, 디메틸술폭사이드, 디옥산, 에테르, 아세토아세트산에틸, 벤조산에틸, 헵탄올, 헥산올, 메탄올, 메틸아세테이트, 메틸렌 클로라이드, 옥탄올, 펜탄올, 펜탄온, 프로판올, 피리딘 및 테트라하이드로푸란으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 페로브스카이트 반도체 나노캡슐의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 제1 양쪽성 고분자는 Poloxamer로 되고 상기 제2 양쪽성 고분자는 Kolliphor-HS로 되는 페로브스카이트 반도체 나노캡슐의 제조방법
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