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하기 단계들을 포함하는, WxNbyVO2-(x+y)계(여기서, x 및 y는 각각 0
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제1항에 있어서,상기 1) 단계에서, 상기 바나듐염은 바나듐펜톡사이드, 바나딜설페이트, 바나딜클로라이드, 바나딜 아세틸아세토네이트, 및 그의 수화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 WxNbyVO2-(x+y)계 저온형 상전이 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 1) 단계에서, 상기 텅스텐 화합물은 텅스텐산, 텅스텐산 암모늄, 텅스텐산나트륨, 및 그의 수화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 WxNbyVO2-(x+y)계 저온형 상전이 소재의 제조방법
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4
제1항에 있어서,상기 1) 단계에서, 상기 니오븀 화합물은 암모늄 니오베이트(V) 옥살레이트, 니오븀산칼륨, 염화니오븀, 질화니오븀 및 그의 수화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 WxNbyVO2-(x+y)계 저온형 상전이 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 1) 단계에서, 0
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서,상기 2) 단계에서, 상기 중탄산염은 탄산수소칼륨, 탄산수소암모늄, 및 탄산수소나트륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 WxNbyVO2-(x+y)계 저온형 상전이 소재의 제조방법
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9
제1항에 있어서,상기 2) 단계에서, 상기 중탄산염은 0
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10
제1항에 있어서,상기 3) 단계에서, 상기 열분해는 비활성 가스 분위기 하에서 700℃ 내지 1000℃의 온도 범위에서 수행되는 WxNbyVO2-(x+y)계 저온형 상전이 소재의 제조방법
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11
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항, 또는 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 WxNbyVO2-(x+y)계 저온형 상전이 소재
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12
제11항에 있어서,단사정계의 결정구조를 갖고, 입자 크기는 50nm 내지 1㎛인 WxNbyVO2-(x+y)계 저온형 상전이 소재
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