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(a) 지지 기판 상에 제1 금속 물질을 증착하여 하부 전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 하부 전극층 상에 제1 압전 물질을 증착하여 제1 압전층을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 압전층 상에 비전도성 산화물 코팅액을 랜덤하게 코팅하고 경화하여 비전도성 산화물 코팅층을 형성하는 단계; (d) 상기 제1 압전층 및 비전도성 산화물 코팅층 상에 제2 압전 물질을 증착하고, 열처리하여 상기 제1 압전층 및 비전도성 산화물 코팅층을 덮는 제2 압전층을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 제2 압전층 상에 제2 금속 물질을 증착하여 상부 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는 페로브스카이트계 압전 박막을 이용한 MEMS 마이크로폰 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 비전도성 산화물 코팅액은 비전도성 산화물과 용매를 0
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제8항에 있어서,상기 비전도성 산화물은 SiO2, SiNx, 폴리에틸렌, 고밀도폴리에틸렌, 저밀도폴리에틸렌, 베이클라이트, 네오프렌, 나일론, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 초고분자량 폴리에틸렌, 에틸렌 비닐아세테이트, 폴리프로필렌, 폴리사풀루오르에틸렌, 폴리아크릴레이트, 폴리우레탄, 폴리비닐부틸알, 폴리염화비닐, EPDM(ethylene propylene rubber), PDMS(polydimethylsiloxane), 알킬글리시딜에테르, 다관능성 아크릴수지, 아크릴-우레탄 공중합체, 카르복실계 바인더 및 아미드계 바인더 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트계 압전 박막을 이용한 MEMS 마이크로폰 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 비전도성 산화물은 스핀 코터를 이용한 코팅 방식으로 랜덤하게 분산되도록 코팅하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트계 압전 박막을 이용한 MEMS 마이크로폰 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 압전층은 상기 제1 및 제2 압전 물질을 스퍼터링 방식으로 증착하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트계 압전 박막을 이용한 MEMS 마이크로폰 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (e) 단계 이후, (f) 상기 상부 전극층, 하부 전극층, 제1 및 제2 압전층을 선택적으로 패터닝하여, 상부 전극 및 하부 전극과, 음향이 통과하는 관통 홀을 갖는 압전 박막을 형성하는 단계; 및 (g) 상기 지지 기판의 중앙 부분을 제거하여, 상기 압전 박막을 노출시키는 단계; 를 더 포함하는 페로브스카이트계 압전 박막을 이용한 MEMS 마이크로폰 제조 방법
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