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도가니 내부에 분말 원료를 장입하는 과정;종자정의 일면에 중간층을 제공하는 과정;상기 도가니를 가열하여 상기 분말 원료를 승화시키는 과정; 및상기 승화된 원료 기체가 상기 중간층 상에서 결정화되는 과정을 포함하고,상기 중간층은 상기 종자정 및 결정화되는 물질과 상이한 물질로 이루어지며,상기 중간층을 형성하는 과정에서,상기 중간층은 원자 한 층으로 이루어진 단층 또는 상기 단층이 5층 이하로 적층되어 2nm 이하의 두께로 형성되고,상기 중간층을 제공하는 과정은,베이스 기재 상에 상기 중간층을 형성하는 과정; 및상기 중간층을 상기 종자정의 일면으로 전사하는 과정을 포함하는 단결정 성장 방법
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청구항 1에 있어서,상기 중간층은 2차원 평면 결정구조를 갖는 단결정 성장 방법
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청구항 1에 있어서,상기 베이스 기재는 금속 재질로 이루어지는 단결정 성장 방법
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청구항 1에 있어서,상기 분말 원료를 승화시키는 과정은 2000℃ 내지 2300℃의 온도 범위에서 수행되는 단결정 성장 방법
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청구항 1에 있어서,상기 종자정은 실리콘카바이드(SiC)를 포함하고,상기 결정화되는 물질은 상기 실리콘카바이드와 다른 이종 물질인 단결정 성장 방법
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청구항 1에 있어서,상기 중간층은 그래핀(Graphene), 보로핀(Borophene), 게르마닌(Germanene), 실리신(Silicene), Si2BN, 스테이넨(Stanene), 포스포린(Phosphorene), 휘수연광(Molybdenite) 및 비스무텐(Bismuthene) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 단결정 성장 방법
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종자정;상기 종자정 상에 제공되고, 2차원 평면 결정구조를 갖는 물질로 이루어진 중간층; 및상기 중간층 상에 형성된 단결정을 포함하고,상기 중간층은 원자 한 층으로 이루어진 단층 또는 상기 단층이 5층 이하로 적층되어 2nm 이하의 두께로 형성되며,상기 종자정에는 베이스 기재 상에 형성된 상기 중간층이 상기 종자정의 일면으로 전사되어 제공되는 중간 적층체
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청구항 11에 있어서,상기 중간층은 반데르발스 구조인 중간 적층체
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청구항 11에 있어서,상기 중간층은 그래핀(Graphene), 보로핀(Borophene), 게르마닌(Germanene), 실리신(Silicene), Si2BN, 스테이넨(Stanene), 포스포린(Phosphorene), 휘수연광(Molybdenite) 및 비스무텐(Bismuthene) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 중간 적층체
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청구항 11에 있어서,상기 종자정은 실리콘카바이드(SiC)를 포함하고,상기 단결정은 상기 실리콘카바이드와 다른 이종 물질인 중간 적층체
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