맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

적외선 방사용 섬유상 SiC 면상발열체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019030749
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 SiC 섬유촙을 분산 및 적층하는 단계; 상기 SiC 섬유촙의 배향 및 적층 두께를 조절하는 단계; 상기 SiC 섬유촙 표면에 레진을 코팅하는 단계; 탄화 공정을 수행하여, 상기 SiC 섬유촙 표면에 코팅된 레진을 탄소층으로 변환시키는 단계; 및 상기 SiC 섬유촙 표면에 SiC 코팅층을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 각 단계는 연속 공정으로 수행될 수 있는 SiC 면상발열체의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H05B 3/14 (2006.01.01) H05B 3/34 (2006.01.01) D06M 15/41 (2006.01.01)
CPC H05B 3/148(2013.01) H05B 3/148(2013.01) H05B 3/148(2013.01) H05B 3/148(2013.01) H05B 3/148(2013.01)
출원번호/일자 1020170167257 (2017.12.07)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1971220-0000 (2019.04.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190422) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.07)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신동근 경상남도 진주시
2 조광연 경상남도 진주시 사들로 ***(충무
3 이윤주 경상남도 진주시
4 배성군 경상남도 하동군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-1219482-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.05 수리 (Accepted) 9-1-2018-0045319-25
4 등록결정서
Decision to grant		 2019.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0051218-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SiC 섬유촙을 분산 및 적층하는 단계;상기 SiC 섬유촙의 배향 및 적층 두께를 조절하는 단계;상기 SiC 섬유촙 표면에 레진을 코팅하는 단계;탄화 공정을 수행하여, 상기 SiC 섬유촙 표면에 코팅된 레진을 탄소층으로 변환시키는 단계; 및상기 SiC 섬유촙 표면에 SiC 코팅층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 각 단계는 연속 공정으로 수행되는SiC 면상발열체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 SiC 섬유촙은 1~100 mm의 크기를 갖는SiC 면상발열체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 SiC 섬유촙을 분산 및 적층하는 단계는, 진동 호퍼를 이용하여 이루어지는SiC 면상발열체의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 SiC 섬유촙의 배향 및 적층 두께를 조절하는 단계는, 배향롤에 의해 롤링함으로써 이루어지는SiC 면상발열체의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 SiC 섬유촙 표면에 레진을 코팅하는 단계는, 탄소원으로 사용가능한 레진 용액을 분사함으로써 이루어지는SiC 면상발열체의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 레진은 페놀 레진 또는 레졸 레진을 포함하는SiC 면상발열체의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 탄화 공정을 수행하여, 상기 SiC 섬유촙 표면에 코팅된 레진을 탄소층으로 변환시키는 단계는, 진공 또는 불활성 분위기에서 1000~2000℃로 열처리함으로써 이루어지는SiC 면상발열체의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 SiC 섬유촙 표면에 SiC 코팅층을 형성하는 단계는, 1000~2000℃의 온도에서 SiO 기체를 투입하고 열처리하는 SiO 환원공정에 의해, 상기 SiC 표면에 형성된 탄소층과 SiO 기체와의 반응으로 SiC가 형성됨으로써 이루어지는 SiC 면상발열체의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 SiO 환원공정의 공정 조건을 조절함으로써 상기 SiC 섬유촙과 상기 SiC 코팅층 사이에 C 중간층이 더 형성되는SiC 면상발열체의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 SiC 섬유촙 표면에 레진을 코팅하는 단계 후에, 25~100℃의 온도에서 건조하는 단계를 더 포함하는SiC 면상발열체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.