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캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 일부가 노출되도록 상기 희생층 상에 그래핀층을 트랜스퍼하여 적층하는 단계; 상기 그래핀층 상에 GaN 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 GaN 버퍼층 상에 GaN 결정층을 성장시키는 단계; 및 상기 캐리어 기판 상의 희생층을 제거하여, 상기 캐리어 기판으로부터 상기 그래핀층, GaN 버퍼층 및 GaN 결정층을 리프트 오프하는 단계;를 포함하며, 상기 캐리어 기판은 쿼츠 재질이 이용되며, 상기 리프트 오프 단계 이후에, 상기 캐리어 기판은 세척 처리하여 재활용되며, 상기 희생층 형성 단계에서, 상기 희생층은 상기 캐리어 기판과 동일한 면적을 갖고, 상기 그래핀층은 상기 희생층 및 캐리어 기판 보다 작은 면적을 가져, 상기 그래핀층의 외측으로 상기 희생층의 일부가 노출되는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 GaN 결정층 분리 방법
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제1항에 있어서,상기 희생층은 SiO2인 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 GaN 결정층 분리 방법
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제1항에 있어서,상기 GaN 버퍼층 형성 단계는, 상기 그래핀층 상에 Ga 시드를 형성하는 단계; 및 상기 Ga 시드 상에 GaN 결정을 성장시켜 GaN 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 GaN 결정층 분리 방법
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제5항에 있어서,상기 그래핀층 상에 Ga 시드를 형성하는 단계는, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 방식으로 300 ~ 700℃의 제1 온도 범위 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 GaN 결정층 분리 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀층은 0
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제1항에 있어서,상기 그래핀층은 그래핀이 다층 구조로 적층되어 있는 그래핀 다중층인 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 GaN 결정층 분리 방법
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제5항에 있어서,상기 GaN 결정층 성장 단계는, 상기 Ga 시드 상에 질화수소 화합물을 공급하면서 700 ~ 1,100℃의 제2 온도 범위 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 GaN 결정층 분리 방법
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제1항에 있어서,상기 리프트 오프 단계에서, 상기 희생층은 플루오르화수소(HF) 용액 및 버퍼된 산화 식각(BOE) 용액 중 어느 하나를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 GaN 결정층 분리 방법
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