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AlN 위에 성장된 스트레인이 감소한 고효율 자외선 Bx1Aly1Ga1-x1-y1N/Bx2Aly2Ga1-x2-y2N 양자우물 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2019030805
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Bx1Aly1Ga1-x1-y1N/Bx2Aly2Ga1-x2-y2N 양자우물구조를 구비하는 발광다이오드에 있어서, 상기 양자우물구조는 적어도 하나의 서로 교대로 적층된 BAlGaN 우물층과 BAlGaN 장벽층의 적층구조를 포함하며, 양자우물구조의 스트레인이 0.2% 내지 0.8%인 발광다이오드를 제공한다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/26 (2010.01.01)
CPC H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160056386 (2016.05.09)
출원인 대구가톨릭대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1773709-0000 (2017.08.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승환 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대구가톨릭대학교산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0439103-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0039874-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0382440-61
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2017-5092925-63
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2017-5096067-97
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0731668-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0731669-59
9 등록결정서
Decision to grant
2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0579734-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5181935-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Bx1Aly1Ga1-x1-y1N/Bx2Aly2Ga1-x2-y2N 양자우물구조를 구비하는 발광다이오드에 있어서,상기 양자우물구조는 적어도 하나의 서로 교대로 적층된 Bx1Aly1Ga1-x1-y1N 우물층과 Bx2Aly2Ga1-x2-y2N 장벽층의 적층구조를 포함하며,상기 Bx1Aly1Ga1-x1-y1N 우물층에 걸리는 압축 스트레인은 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 양자우물구조는 AlN 버퍼층 상부에 형성된 Bx1Aly1Ga1-x1-y1N/Bx2Aly2Ga1-x2-y2N 양자우물구조를 구비하는 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 Bx1Aly1Ga1-x1-y1N 우물층에 걸리는 압축 스트레인은 0
4 4
제1 항에 있어서,상기 우물층의 두께는 1 내지 3 nm, 상기 장벽층의 두께는 3-10 nm 인 것을 특징으로 하는 Bx1Aly1Ga1-x1-y1N/Bx2Aly2Ga1-x2-y2N 양자우물구조를 구비하는 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 대구가톨릭대학교 이공학개인기초연구지원 고효율 BAlInGaN 기반 단파장 발광다이오드의 특성 연구